Un semi-conducteur extrinsèque , ou semi – conducteur dopé , est un semi-conducteur, qui a été intentionnellement dopé dans le but de moduler ses propriétés électriques, optiques et structurelles. Dans le cas des détecteurs semi-conducteurs de rayonnement ionisant, le dopage est l’introduction intentionnelle d’impuretés dans un semi-conducteur intrinsèque dans le but de modifier leurs propriétés électriques. Par conséquent, les semi-conducteurs intrinsèques sont également appelés semi-conducteurs purs ou semi-conducteurs de type i.
L’ajout d’un petit pourcentage d’atomes étrangers dans le réseau cristallin régulier de silicium ou de germanium produit des changements spectaculaires dans leurs propriétés électriques, car ces atomes étrangers incorporés dans la structure cristalline du semi-conducteur fournissent des porteurs de charge gratuits (électrons ou trous d’électrons) dans le semi-conducteur. Dans un semi-conducteur extrinsèque, ce sont ces atomes de dopant étrangers dans le réseau cristallin qui fournissent principalement les porteurs de charge qui transportent le courant électrique à travers le cristal. En général, il existe deux types d’atomes dopants, ce qui entraîne deux types de semi-conducteurs extrinsèques. Ces dopants qui produisent les changements contrôlés souhaités sont classés comme accepteurs d’électrons ou donneurs et les semi-conducteurs dopés correspondants sont appelés:
- Semi-conducteurs de type n.
- Semi-conducteurs de type p.
Semi-conducteurs dégénérés
Il faut noter qu’un dopage accru conduit à une conductivité accrue du fait de la plus forte concentration de porteurs de charges. Les semi-conducteurs hautement dopés se comportent de façon métallique et ces semi-conducteurs sont connus comme semi-conducteurs dégénérés (très fortement dopés) . Les semi-conducteurs dégénérés sont souvent utilisés dans les circuits intégrés en remplacement du métal. Souvent, les symboles plus et moins en exposant sont utilisés pour indiquer la concentration de dopage relative dans les semi-conducteurs. Par exemple, n + désigne un semi-conducteur de type n avec une concentration de dopage élevée. De même, p – indiquerait un matériau de type p très légèrement dopé.
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