Un semiconductor extrínseco , o semiconductor dopado , es un semiconductor, que fue dopado intencionalmente con el fin de modular sus propiedades eléctricas, ópticas y estructurales. En el caso de detectores de semiconductores de radiación ionizante, el dopaje es la introducción intencional de impurezas en un semiconductor intrínseco con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Por lo tanto, los semiconductores intrínsecos también se conocen como semiconductores puros o semiconductores de tipo i.
La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en la red cristalina regular de silicio o germanio produce cambios dramáticos en sus propiedades eléctricas, ya que estos átomos extraños incorporados en la estructura cristalina del semiconductor proporcionan portadores de carga libre (electrones o agujeros de electrones) en el semiconductor. En un semiconductor extrínseco, son estos átomos dopantes extraños en la red cristalina los que proporcionan principalmente los portadores de carga que transportan corriente eléctrica a través del cristal. En general, hay dos tipos de átomos dopantes que dan como resultado dos tipos de semiconductores extrínsecos. Estos dopantes que producen los cambios controlados deseados se clasifican como aceptores o donantes de electrones. y los semiconductores dopados correspondientes se conocen como:
- Semiconductores de tipo n.
- Semiconductores tipo p.
Semiconductores degenerados
Cabe señalar que un mayor dopaje conduce a una mayor conductividad debido a la mayor concentración de portadores de carga. Los semiconductores altamente dopados se comportan de manera metálica y estos semiconductores se conocen como semiconductores degenerados (muy dopados) . Los semiconductores degenerados a menudo se usan en circuitos integrados como reemplazo del metal. A menudo, los símbolos de superíndice más y menos se usan para denotar la concentración relativa de dopaje en semiconductores. Por ejemplo, n + denota un semiconductor de tipo n con una alta concentración de dopaje. Del mismo modo, p – indicaría un material tipo p muy ligeramente dopado.
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