{"id":17632,"date":"2020-06-16T05:34:13","date_gmt":"2020-06-16T05:34:13","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/o-que-e-a-juncao-p-n-juncao-polarizada-reversa-definicao\/"},"modified":"2020-07-21T12:25:43","modified_gmt":"2020-07-21T12:25:43","slug":"o-que-e-a-juncao-p-n-juncao-polarizada-reversa-definicao","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/pt-br\/o-que-e-a-juncao-p-n-juncao-polarizada-reversa-definicao\/","title":{"rendered":"O que \u00e9 a jun\u00e7\u00e3o P-N – jun\u00e7\u00e3o polarizada reversa – Defini\u00e7\u00e3o"},"content":{"rendered":"
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A melhoria pode ser alcan\u00e7ada pelo uso de uma tens\u00e3o de polariza\u00e7\u00e3o reversa na jun\u00e7\u00e3o PN para esgotar o detector de portadoras livres, que \u00e9 o princ\u00edpio da maioria dos detectores de semicondutores.\u00a0Dosimetria de Radia\u00e7\u00e3o<\/div>\n<\/div>\n
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\"detector<\/a>
Detector de tira de sil\u00edcio Fonte: micronsemiconductor.co.uk<\/figcaption><\/figure>\n

Em geral, os\u00a0semicondutores<\/strong>\u00a0s\u00e3o materiais, inorg\u00e2nicos ou org\u00e2nicos, que t\u00eam a capacidade de controlar sua condu\u00e7\u00e3o, dependendo da estrutura qu\u00edmica, temperatura, ilumina\u00e7\u00e3o e presen\u00e7a de dopantes.\u00a0O nome\u00a0semicondutor<\/strong>\u00a0vem do fato de que esses materiais t\u00eam uma\u00a0condutividade el\u00e9trica<\/strong>\u00a0entre a de um metal, como cobre, ouro, etc. e um isolador, como o vidro.\u00a0Eles t\u00eam um\u00a0gap de energia<\/strong>\u00a0menor que 4eV (cerca de 1eV).\u00a0Na f\u00edsica de estado s\u00f3lido, esse gap de energia ou gap de banda \u00e9 um intervalo de energia entre a\u00a0banda de val\u00eancia e a banda de condu\u00e7\u00e3o<\/a>onde estados de el\u00e9trons s\u00e3o proibidos.\u00a0Ao contr\u00e1rio dos condutores, os el\u00e9trons em um semicondutor devem obter energia (por exemplo, a partir de radia\u00e7\u00e3o ionizante) para atravessar a folga da banda e alcan\u00e7ar a banda de condu\u00e7\u00e3o.\u00a0As propriedades dos semicondutores<\/strong><\/a>\u00a0s\u00e3o determinadas pela diferen\u00e7a de energia entre as bandas de val\u00eancia e de condu\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

A jun\u00e7\u00e3o PN – jun\u00e7\u00e3o polarizada reversa<\/h2>\n

O\u00a0detector de semicondutores<\/strong>\u00a0opera muito melhor como detector de radia\u00e7\u00e3o se uma tens\u00e3o externa for aplicada atrav\u00e9s da jun\u00e7\u00e3o na\u00a0dire\u00e7\u00e3o inversa<\/strong>\u00a0.\u00a0A regi\u00e3o de deple\u00e7\u00e3o funcionar\u00e1 como um detector de radia\u00e7\u00e3o.\u00a0A melhoria pode ser alcan\u00e7ada pelo uso de uma tens\u00e3o de polariza\u00e7\u00e3o reversa na jun\u00e7\u00e3o PN para\u00a0esgotar o detector<\/strong>\u00a0de portadoras livres, que \u00e9 o princ\u00edpio da maioria dos detectores semicondutores.\u00a0A polariza\u00e7\u00e3o reversa de uma jun\u00e7\u00e3o aumenta a espessura da regi\u00e3o de deple\u00e7\u00e3o porque a diferen\u00e7a de potencial entre a jun\u00e7\u00e3o \u00e9 aprimorada.\u00a0Os detectores de germ\u00e2nio t\u00eam uma\u00a0estrutura de pinos<\/strong>em que a regi\u00e3o intr\u00ednseca (i) \u00e9 sens\u00edvel \u00e0 radia\u00e7\u00e3o ionizante, particularmente raios X e raios gama.\u00a0Sob polariza\u00e7\u00e3o reversa, um campo el\u00e9trico se estende pela regi\u00e3o intr\u00ednseca ou esgotada.\u00a0Nesse caso, a tens\u00e3o negativa \u00e9 aplicada no lado p e positiva no segundo.\u00a0Os furos na regi\u00e3o p s\u00e3o atra\u00eddos da jun\u00e7\u00e3o em dire\u00e7\u00e3o ao contato p e da mesma forma para os el\u00e9trons e o contato n.\u00a0Essa carga, que \u00e9 proporcional \u00e0 energia depositada no detector pelo f\u00f3ton recebido, \u00e9 convertida em um pulso de tens\u00e3o por um pr\u00e9-amplificador sens\u00edvel \u00e0 carga integral.<\/p>\n

Veja tamb\u00e9m: Detectores de germ\u00e2nio, MIRION Technologies.\u00a0<dispon\u00edvel em: https:\/\/www.mirion.com\/products\/germanium-detectors>.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

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Este artigo \u00e9 baseado na tradu\u00e7\u00e3o autom\u00e1tica do artigo original em ingl\u00eas. Para mais informa\u00e7\u00f5es, consulte o artigo em ingl\u00eas. Voc\u00ea pode nos ajudar. Se voc\u00ea deseja corrigir a tradu\u00e7\u00e3o, envie-a para: translations@nuclear-power.com ou preencha o formul\u00e1rio de tradu\u00e7\u00e3o on-line. Agradecemos sua ajuda, atualizaremos a tradu\u00e7\u00e3o o mais r\u00e1pido poss\u00edvel. Obrigado.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

A melhoria pode ser alcan\u00e7ada pelo uso de uma tens\u00e3o de polariza\u00e7\u00e3o reversa na jun\u00e7\u00e3o PN para esgotar o detector de portadoras livres, que \u00e9 o princ\u00edpio da maioria dos detectores de semicondutores.\u00a0Dosimetria de Radia\u00e7\u00e3o Detector de tira de sil\u00edcio Fonte: micronsemiconductor.co.uk Em geral, os\u00a0semicondutores\u00a0s\u00e3o materiais, inorg\u00e2nicos ou org\u00e2nicos, que t\u00eam a capacidade de controlar … Ler mais<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[51],"tags":[],"yoast_head":"\nO que \u00e9 a jun\u00e7\u00e3o P-N - jun\u00e7\u00e3o polarizada reversa - Defini\u00e7\u00e3o<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"A melhoria pode ser alcan\u00e7ada pelo uso de uma tens\u00e3o de polariza\u00e7\u00e3o reversa na jun\u00e7\u00e3o P-N para esgotar o detector de portadores livres, que \u00e9 o princ\u00edpio da maioria dos detectores de semicondutores. 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