{"id":17631,"date":"2020-06-16T05:14:08","date_gmt":"2020-06-16T05:14:08","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/o-que-e-portador-de-cobranca-majoritaria-e-minoritaria-definicao\/"},"modified":"2020-07-21T12:25:34","modified_gmt":"2020-07-21T12:25:34","slug":"o-que-e-portador-de-cobranca-majoritaria-e-minoritaria-definicao","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/pt-br\/o-que-e-portador-de-cobranca-majoritaria-e-minoritaria-definicao\/","title":{"rendered":"O que \u00e9 portador de cobran\u00e7a majorit\u00e1ria e minorit\u00e1ria &#8211; Defini\u00e7\u00e3o"},"content":{"rendered":"<div class=\"su-quote su-quote-style-default\">\n<div class=\"su-quote-inner su-u-clearfix su-u-trim\">Os el\u00e9trons s\u00e3o portadores majorit\u00e1rios, enquanto os orif\u00edcios s\u00e3o portadores minorit\u00e1rios no semicondutor do tipo n.\u00a0Buracos de el\u00e9trons s\u00e3o portadores majorit\u00e1rios, enquanto el\u00e9trons s\u00e3o portadores minorit\u00e1rios em semicondutores do tipo p.\u00a0Dosimetria de Radia\u00e7\u00e3o<\/div>\n<\/div>\n<div class=\"su-divider su-divider-style-dotted\"><\/div>\n<div class=\"lgc-column lgc-grid-parent lgc-grid-100 lgc-tablet-grid-100 lgc-mobile-grid-100 lgc-equal-heights lgc-first lgc-last\">\n<div class=\"inside-grid-column\">\n<p>Um\u00a0<strong>semicondutor extr\u00ednseco<\/strong>\u00a0, ou\u00a0<strong>semicondutor dopado<\/strong>\u00a0, \u00e9 um semicondutor que foi\u00a0<strong>dopado intencionalmente<\/strong>\u00a0com o objetivo de modular suas propriedades el\u00e9tricas, \u00f3pticas e estruturais.\u00a0No caso de detectores semicondutores de radia\u00e7\u00e3o ionizante, o doping \u00e9 a introdu\u00e7\u00e3o intencional de impurezas em um semicondutor intr\u00ednseco com o objetivo de alterar suas propriedades el\u00e9tricas.\u00a0Portanto, os semicondutores intr\u00ednsecos tamb\u00e9m s\u00e3o conhecidos como semicondutores puros ou semicondutores do tipo i.<\/p>\n<p>A adi\u00e7\u00e3o de uma pequena porcentagem de \u00e1tomos estranhos na rede cristalina regular de sil\u00edcio ou germ\u00e2nio produz mudan\u00e7as dram\u00e1ticas em suas propriedades el\u00e9tricas, uma vez que esses \u00e1tomos estranhos incorporados na estrutura cristalina do semicondutor fornecem\u00a0<strong>portadores de carga gratuitos<\/strong>\u00a0(\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/electron-hole-pair\/\">el\u00e9trons ou orif\u00edcios de el\u00e9trons<\/a>\u00a0) no semicondutor.\u00a0Em um semicondutor extr\u00ednseco, s\u00e3o esses \u00e1tomos contaminantes estranhos na estrutura cristalina que fornecem principalmente os portadores de carga que transportam corrente el\u00e9trica atrav\u00e9s do cristal.\u00a0Em geral, existem dois tipos de \u00e1tomos contaminantes, resultando em dois tipos de semicondutores extr\u00ednsecos.\u00a0Esses dopantes que produzem as altera\u00e7\u00f5es controladas desejadas s\u00e3o classificados como\u00a0<strong>aceitadores<\/strong>\u00a0ou\u00a0<strong>doadores de\u00a0<\/strong><strong>el\u00e9trons<\/strong>\u00a0e os semicondutores dopados correspondentes s\u00e3o conhecidos como:<\/p>\n<ul>\n<li><strong>Semicondutores do tipo n.\u00a0<\/strong><\/li>\n<li><strong>Semicondutores do tipo p.<\/strong><\/li>\n<\/ul>\n<div class=\"su-spoiler su-spoiler-style-default su-spoiler-icon-plus su-spoiler-closed\">\n<div class=\"su-spoiler-title\" tabindex=\"0\" role=\"button\"><\/div>\n<\/div>\n<h2>Portadores de carga em semicondutores extr\u00ednsecos<\/h2>\n<p>O n\u00famero de suportes semicondutores puros a certa temperatura \u00e9 determinado pelas propriedades do pr\u00f3prio material em vez da quantidade de impurezas.\u00a0Observe que uma\u00a0amostra de\u00a01 cm\u00a0<sup>3<\/sup>\u00a0de germ\u00e2nio puro a 20 \u00b0 C cont\u00e9m cerca de 4,2 \u00d7 10\u00a0<sup>22<\/sup>\u00a0\u00e1tomos, mas tamb\u00e9m cont\u00e9m cerca de 2,5 x 10\u00a0<sup>13<\/sup>\u00a0el\u00e9trons livres e 2,5 x 10\u00a0<sup>13<\/sup>\u00a0orif\u00edcios.\u00a0Esses transportadores de carga s\u00e3o produzidos por\u00a0<strong>excita\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica<\/strong>\u00a0.\u00a0Nos semicondutores intr\u00ednsecos, o n\u00famero de el\u00e9trons excitados e o n\u00famero de orif\u00edcios s\u00e3o iguais:\u00a0<strong>n = p<\/strong>.\u00a0El\u00e9trons e orif\u00edcios s\u00e3o criados por excita\u00e7\u00e3o de el\u00e9trons da banda de val\u00eancia para a banda de condu\u00e7\u00e3o.\u00a0Um buraco de el\u00e9tron (muitas vezes chamado simplesmente de buraco) \u00e9 a falta de um el\u00e9tron em uma posi\u00e7\u00e3o em que algu\u00e9m poderia existir em um \u00e1tomo ou estrutura at\u00f4mica.\u00a0Essa igualdade pode at\u00e9 ser o caso ap\u00f3s a dopagem do semicondutor, embora apenas se for dopada com doadores e aceitadores da mesma forma.\u00a0Nesse caso, n = p ainda \u00e9 v\u00e1lido e o semicondutor permanece intr\u00ednseco, embora dopado.\u00a0A adi\u00e7\u00e3o de 0,001% de ars\u00eanico (uma impureza) doa um extra de 10\u00a0<sup>17<\/sup>el\u00e9trons livres no mesmo volume e a condutividade el\u00e9trica \u00e9 aumentada em um fator de 10.000.\u00a0No material dopado, a rela\u00e7\u00e3o sinal \/ ru\u00eddo (S \/ N) seria ainda menor.\u00a0Como o germ\u00e2nio possui um intervalo de banda relativamente baixo, esses detectores devem ser resfriados para reduzir a gera\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica de portadores de carga (portanto, reverter a corrente de fuga) para um n\u00edvel aceit\u00e1vel.\u00a0Caso contr\u00e1rio, o ru\u00eddo induzido pela corrente de fuga destr\u00f3i a resolu\u00e7\u00e3o de energia do detector.<\/p>\n<h3>Portadores de carga em semicondutores do tipo n<\/h3>\n<p>No semicondutor do tipo n, os el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o s\u00e3o completamente dominados pelo n\u00famero de\u00a0<strong>el\u00e9trons doadores<\/strong>\u00a0.\u00a0Portanto:<\/p>\n<p><strong><span>O n\u00famero total de electr\u00f5es de condu\u00e7\u00e3o \u00e9, aproximadamente, igual ao n\u00famero de locais dadores, n\u2248N\u00a0<\/span><\/strong><strong><sub><span>D<\/span><\/sub><\/strong><strong><span>\u00a0.<\/span><\/strong><\/p>\n<p><span>A neutralidade da carga do material semicondutor \u00e9 mantida porque os locais doadores excitados equilibram os el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o.\u00a0O resultado final \u00e9 que o n\u00famero de el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o \u00e9 aumentado, enquanto o n\u00famero de orif\u00edcios \u00e9 reduzido.\u00a0O desequil\u00edbrio da concentra\u00e7\u00e3o do portador nas respectivas bandas \u00e9 expresso pelo diferente n\u00famero absoluto de el\u00e9trons e buracos.\u00a0Os el\u00e9trons s\u00e3o portadores majorit\u00e1rios, enquanto os orif\u00edcios s\u00e3o portadores minorit\u00e1rios em material do tipo n.<\/span><\/p>\n<h3><span>Portadores de carga em semicondutores do tipo p<\/span><\/h3>\n<p><span>No semicondutor do tipo p, o n\u00famero de orif\u00edcios de el\u00e9trons \u00e9 completamente dominado pelo n\u00famero de locais aceitadores.\u00a0Portanto:<\/span><\/p>\n<p><strong><span>O n\u00famero total de orif\u00edcios \u00e9 aproximadamente igual ao n\u00famero de locais dadores, p \u2248 N\u00a0<\/span><\/strong><strong><sub><span>A<\/span><\/sub><\/strong><strong><span>\u00a0.<\/span><\/strong><\/p>\n<p><span>A neutralidade de carga deste material semicondutor tamb\u00e9m \u00e9 mantida.\u00a0O resultado final \u00e9 que o n\u00famero de orif\u00edcios de el\u00e9trons \u00e9 aumentado, enquanto o n\u00famero de el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o \u00e9 reduzido.\u00a0O desequil\u00edbrio da concentra\u00e7\u00e3o do portador nas respectivas faixas \u00e9 expresso pelo diferente n\u00famero absoluto de el\u00e9trons e buracos.\u00a0<\/span><strong><span>Os orif\u00edcios de el\u00e9trons<\/span><\/strong><span>\u00a0s\u00e3o\u00a0<\/span><strong><span>portadores majorit\u00e1rios<\/span><\/strong><span>\u00a0, enquanto os el\u00e9trons s\u00e3o portadores minorit\u00e1rios em material do tipo p.<\/span><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<p>&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;.<\/p>\n<p>Este artigo \u00e9 baseado na tradu\u00e7\u00e3o autom\u00e1tica do artigo original em ingl\u00eas. Para mais informa\u00e7\u00f5es, consulte o artigo em ingl\u00eas. Voc\u00ea pode nos ajudar. Se voc\u00ea deseja corrigir a tradu\u00e7\u00e3o, envie-a para: translations@nuclear-power.com ou preencha o formul\u00e1rio de tradu\u00e7\u00e3o on-line. Agradecemos sua ajuda, atualizaremos a tradu\u00e7\u00e3o o mais r\u00e1pido poss\u00edvel. Obrigado.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Os el\u00e9trons s\u00e3o portadores majorit\u00e1rios, enquanto os orif\u00edcios s\u00e3o portadores minorit\u00e1rios no semicondutor do tipo n.\u00a0Buracos de el\u00e9trons s\u00e3o portadores majorit\u00e1rios, enquanto el\u00e9trons s\u00e3o portadores minorit\u00e1rios em semicondutores do tipo p.\u00a0Dosimetria de Radia\u00e7\u00e3o Um\u00a0semicondutor extr\u00ednseco\u00a0, ou\u00a0semicondutor dopado\u00a0, \u00e9 um semicondutor que foi\u00a0dopado intencionalmente\u00a0com o objetivo de modular suas propriedades el\u00e9tricas, \u00f3pticas e estruturais.\u00a0No caso de &#8230; <a title=\"O que \u00e9 portador de cobran\u00e7a majorit\u00e1ria e minorit\u00e1ria &#8211; Defini\u00e7\u00e3o\" class=\"read-more\" href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/pt-br\/o-que-e-portador-de-cobranca-majoritaria-e-minoritaria-definicao\/\" aria-label=\"More on O que \u00e9 portador de cobran\u00e7a majorit\u00e1ria e minorit\u00e1ria &#8211; Defini\u00e7\u00e3o\">Ler mais<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[51],"tags":[],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v15.4 - https:\/\/yoast.com\/wordpress\/plugins\/seo\/ -->\n<title>O que \u00e9 portador de cobran\u00e7a majorit\u00e1ria e minorit\u00e1ria - Defini\u00e7\u00e3o<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Os el\u00e9trons s\u00e3o portadores majorit\u00e1rios, enquanto os orif\u00edcios s\u00e3o portadores minorit\u00e1rios no semicondutor do tipo n. 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