{"id":17629,"date":"2020-06-16T04:35:35","date_gmt":"2020-06-16T04:35:35","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/o-que-e-semicondutor-do-tipo-n-definicao\/"},"modified":"2020-07-21T12:24:45","modified_gmt":"2020-07-21T12:24:45","slug":"o-que-e-semicondutor-do-tipo-n-definicao","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/pt-br\/o-que-e-semicondutor-do-tipo-n-definicao\/","title":{"rendered":"O que \u00e9 semicondutor do tipo n – Defini\u00e7\u00e3o"},"content":{"rendered":"
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Um semicondutor extr\u00ednseco que foi dopado com \u00e1tomos de doadores de el\u00e9trons \u00e9 chamado de semicondutor do tipo n.\u00a0O cristal dopado com elementos do grupo V \u00e9 o semicondutor do tipo n.\u00a0Dosimetria de Radia\u00e7\u00e3o<\/div>\n<\/div>\n
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Semicondutores do tipo n<\/h2>\n

\"extr\u00ednseco<\/a>Um semicondutor extr\u00ednseco que foi dopado com \u00e1tomos de doadores de el\u00e9trons \u00e9 chamado\u00a0de semicondutor do tipo n<\/strong>, porque a maioria dos portadores de carga no cristal s\u00e3o el\u00e9trons negativos.\u00a0Como o sil\u00edcio \u00e9 um elemento tetravalente, a estrutura cristalina normal cont\u00e9m 4 liga\u00e7\u00f5es covalentes de quatro el\u00e9trons de val\u00eancia.\u00a0No sil\u00edcio, os dopantes mais comuns s\u00e3o os elementos do grupo III e do grupo V.\u00a0Os elementos do grupo V (pentavalentes) possuem cinco el\u00e9trons de val\u00eancia, o que lhes permite atuar como doador.\u00a0Isso significa que a adi\u00e7\u00e3o dessas impurezas pentavalentes, como ars\u00eanico, antim\u00f4nio ou f\u00f3sforo, contribui com el\u00e9trons livres, aumentando consideravelmente a condutividade do semicondutor intr\u00ednseco.\u00a0Por exemplo, um cristal de sil\u00edcio dopado com boro (grupo III) cria um semicondutor do tipo p, enquanto um cristal dopado com f\u00f3sforo (grupo V) resulta em um semicondutor do tipo n.<\/p>\n

Os el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o s\u00e3o completamente dominados pelo n\u00famero de\u00a0el\u00e9trons doadores<\/strong>\u00a0.\u00a0Portanto:<\/p>\n

O n\u00famero total de electr\u00f5es de condu\u00e7\u00e3o \u00e9, aproximadamente, igual ao n\u00famero de locais dadores, n\u2248N\u00a0<\/strong>D<\/sub><\/strong>\u00a0.<\/strong><\/p>\n

A neutralidade da carga do material semicondutor \u00e9 mantida porque os locais doadores excitados equilibram os el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o.\u00a0O resultado final \u00e9 que o n\u00famero de el\u00e9trons de condu\u00e7\u00e3o \u00e9 aumentado, enquanto o n\u00famero de orif\u00edcios \u00e9 reduzido.\u00a0O desequil\u00edbrio da concentra\u00e7\u00e3o do portador nas respectivas bandas \u00e9 expresso pelo diferente n\u00famero absoluto de el\u00e9trons e buracos.\u00a0Os el\u00e9trons s\u00e3o portadores majorit\u00e1rios, enquanto os orif\u00edcios s\u00e3o portadores minorit\u00e1rios em material do tipo n.<\/p>\n

N\u00edvel de Doadores<\/h3>\n

Do\u00a0\u00a0ponto de vista do\u00a0gap de energia<\/a>\u00a0, essas impurezas “criam” n\u00edveis de energia no gap da banda\u00a0pr\u00f3ximo \u00e0 banda de condu\u00e7\u00e3o,<\/strong>\u00a0para que os el\u00e9trons possam ser\u00a0facilmente excitados<\/strong>\u00a0desses n\u00edveis para a banda de condu\u00e7\u00e3o.\u00a0Dizem que os el\u00e9trons s\u00e3o os ”\u00a0portadores majorit\u00e1rios<\/strong>\u00a0” para o fluxo de corrente em um semicondutor do tipo n.\u00a0Isso muda o\u00a0n\u00edvel<\/a>\u00a0efetivo de\u00a0Fermi<\/a>a um ponto a meio caminho entre os n\u00edveis dos doadores e a banda de condu\u00e7\u00e3o.\u00a0N\u00edvel de Fermi \u00e9 o termo usado para descrever o topo da cole\u00e7\u00e3o de n\u00edveis de energia eletr\u00f4nica na temperatura zero absoluta.\u00a0O n\u00edvel de Fermi \u00e9 a superf\u00edcie do mar de Fermi no zero absoluto, onde nenhum el\u00e9tron ter\u00e1 energia suficiente para subir acima da superf\u00edcie.\u00a0Em semicondutores puros, a posi\u00e7\u00e3o do n\u00edvel de Fermi est\u00e1 dentro do gap, aproximadamente no meio do gap.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

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Este artigo \u00e9 baseado na tradu\u00e7\u00e3o autom\u00e1tica do artigo original em ingl\u00eas. Para mais informa\u00e7\u00f5es, consulte o artigo em ingl\u00eas. Voc\u00ea pode nos ajudar. Se voc\u00ea deseja corrigir a tradu\u00e7\u00e3o, envie-a para: translations@nuclear-power.com ou preencha o formul\u00e1rio de tradu\u00e7\u00e3o on-line. Agradecemos sua ajuda, atualizaremos a tradu\u00e7\u00e3o o mais r\u00e1pido poss\u00edvel. Obrigado.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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