{"id":15566,"date":"2020-01-10T13:51:45","date_gmt":"2020-01-10T13:51:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/quest-ce-que-la-jonction-p-n-jonction-inversee-definition\/"},"modified":"2020-07-13T10:37:12","modified_gmt":"2020-07-13T10:37:12","slug":"quest-ce-que-la-jonction-p-n-jonction-inversee-definition","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/quest-ce-que-la-jonction-p-n-jonction-inversee-definition\/","title":{"rendered":"Qu’est-ce que la jonction P-N – jonction invers\u00e9e – d\u00e9finition"},"content":{"rendered":"
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Une am\u00e9lioration peut \u00eatre obtenue en utilisant une tension de polarisation inverse \u00e0 la jonction PN pour \u00e9puiser le d\u00e9tecteur de porteurs libres, ce qui est le principe de la plupart des d\u00e9tecteurs semi-conducteurs.\u00a0Dosim\u00e9trie des rayonnements<\/div>\n<\/div>\n
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\"d\u00e9tecteur<\/a>
D\u00e9tecteur de bande de silicine Source: micronsemiconductor.co.uk<\/figcaption><\/figure>\n

En g\u00e9n\u00e9ral, les\u00a0semi<\/strong>\u00a0–\u00a0conducteurs<\/strong>\u00a0sont des mat\u00e9riaux, inorganiques ou organiques, qui ont la capacit\u00e9 de contr\u00f4ler leur conduction en fonction de la structure chimique, de la temp\u00e9rature, de l’illumination et de la pr\u00e9sence de dopants.\u00a0Le nom\u00a0semi-conducteur<\/strong>\u00a0vient du fait que ces mat\u00e9riaux ont une\u00a0conductivit\u00e9 \u00e9lectrique<\/strong>\u00a0entre celle d’un m\u00e9tal, comme le cuivre, l’or, etc. et un isolant, comme le verre.\u00a0Ils ont un\u00a0\u00e9cart \u00e9nerg\u00e9tique<\/strong>\u00a0inf\u00e9rieur \u00e0 4eV (environ 1eV).\u00a0En physique du solide, cet intervalle d’\u00e9nergie ou bande interdite est une plage d’\u00e9nergie entre la\u00a0bande de valence et la bande de conduction<\/a>o\u00f9 les \u00e9tats \u00e9lectroniques sont interdits.\u00a0Contrairement aux conducteurs, les \u00e9lectrons d’un semi-conducteur doivent obtenir de l’\u00e9nergie (par exemple \u00e0 partir de rayonnements ionisants) pour traverser la bande interdite et atteindre la bande de conduction.\u00a0Les propri\u00e9t\u00e9s des semi<\/strong><\/a>\u00a0–\u00a0conducteurs<\/strong><\/a>\u00a0sont d\u00e9termin\u00e9es par l’\u00e9cart d’\u00e9nergie entre les bandes de valence et de conduction.<\/p>\n

La jonction PN – Jonction invers\u00e9e<\/h2>\n

Le\u00a0d\u00e9tecteur \u00e0 semi-conducteur<\/strong>\u00a0fonctionne beaucoup mieux en tant que d\u00e9tecteur de rayonnement si une tension externe est appliqu\u00e9e aux bornes de la jonction dans le\u00a0sens de polarisation inverse<\/strong>\u00a0.\u00a0La r\u00e9gion d’appauvrissement fonctionnera comme un d\u00e9tecteur de rayonnement.\u00a0Une am\u00e9lioration peut \u00eatre obtenue en utilisant une tension de polarisation inverse \u00e0 la jonction PN pour\u00a0\u00e9puiser le d\u00e9tecteur<\/strong>\u00a0de porteurs libres, ce qui est le principe de la plupart des d\u00e9tecteurs semi-conducteurs.\u00a0La polarisation inverse d’une jonction augmente l’\u00e9paisseur de la r\u00e9gion d’appauvrissement car la diff\u00e9rence de potentiel \u00e0 travers la jonction est am\u00e9lior\u00e9e.\u00a0Les d\u00e9tecteurs au germanium ont une\u00a0structure \u00e0 broches<\/strong>dans laquelle la r\u00e9gion intrins\u00e8que (i) est sensible aux rayonnements ionisants, en particulier aux rayons X et aux rayons gamma.\u00a0Sous polarisation inverse, un champ \u00e9lectrique s’\u00e9tend \u00e0 travers la r\u00e9gion intrins\u00e8que ou appauvrie.\u00a0Dans ce cas, une tension n\u00e9gative est appliqu\u00e9e du c\u00f4t\u00e9 p et positive au second.\u00a0Les trous dans la r\u00e9gion p sont attir\u00e9s par la jonction vers le contact p et de m\u00eame pour les \u00e9lectrons et le contact n.\u00a0Cette charge, qui est proportionnelle \u00e0 l’\u00e9nergie d\u00e9pos\u00e9e dans le d\u00e9tecteur par le photon entrant, est convertie en impulsion de tension par un pr\u00e9amplificateur sensible \u00e0 la charge int\u00e9gr\u00e9.<\/p>\n

Voir aussi: D\u00e9tecteurs au germanium, MIRION Technologies.\u00a0<disponible sur: https:\/\/www.mirion.com\/products\/germanium-detectors>.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

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Cet article est bas\u00e9 sur la traduction automatique de l’article original en anglais. Pour plus d’informations, voir l’article en anglais. Pouvez vous nous aider Si vous souhaitez corriger la traduction, envoyez-la \u00e0 l’adresse: translations@nuclear-power.com ou remplissez le formulaire de traduction en ligne. Nous appr\u00e9cions votre aide, nous mettrons \u00e0 jour la traduction le plus rapidement possible. Merci<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Une am\u00e9lioration peut \u00eatre obtenue en utilisant une tension de polarisation inverse \u00e0 la jonction PN pour \u00e9puiser le d\u00e9tecteur de porteurs libres, ce qui est le principe de la plupart des d\u00e9tecteurs semi-conducteurs.\u00a0Dosim\u00e9trie des rayonnements D\u00e9tecteur de bande de silicine Source: micronsemiconductor.co.uk En g\u00e9n\u00e9ral, les\u00a0semi\u00a0–\u00a0conducteurs\u00a0sont des mat\u00e9riaux, inorganiques ou organiques, qui ont la capacit\u00e9 … Lire la suite<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[49],"tags":[],"yoast_head":"\nQu'est-ce que la jonction P-N - jonction invers\u00e9e - d\u00e9finition<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Une am\u00e9lioration peut \u00eatre obtenue en utilisant une tension de polarisation inverse \u00e0 la jonction P-N pour \u00e9puiser le d\u00e9tecteur de porteurs libres, ce qui est le principe de la plupart des d\u00e9tecteurs \u00e0 semi-conducteur. 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