{"id":15562,"date":"2020-01-10T05:53:04","date_gmt":"2020-01-10T05:53:04","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition\/"},"modified":"2020-07-13T10:35:44","modified_gmt":"2020-07-13T10:35:44","slug":"quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition\/","title":{"rendered":"Qu&rsquo;est-ce que le semi-conducteur extrins\u00e8que &#8211; semi-conducteur dop\u00e9 &#8211; D\u00e9finition"},"content":{"rendered":"<div class=\"su-quote su-quote-style-default\">\n<div class=\"su-quote-inner su-u-clearfix su-u-trim\">Un semi-conducteur extrins\u00e8que, ou semi-conducteur dop\u00e9, est un semi-conducteur, qui a \u00e9t\u00e9 intentionnellement dop\u00e9 dans le but de moduler ses propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques, optiques et structurelles.\u00a0Dosim\u00e9trie des rayonnements<\/div>\n<\/div>\n<div class=\"su-divider su-divider-style-dotted\"><\/div>\n<div class=\"lgc-column lgc-grid-parent lgc-grid-100 lgc-tablet-grid-100 lgc-mobile-grid-100 lgc-equal-heights lgc-first lgc-last\">\n<div class=\"inside-grid-column\">\n<p>En g\u00e9n\u00e9ral, les\u00a0<strong>semi<\/strong>\u00a0&#8211;\u00a0<strong>conducteurs<\/strong>\u00a0sont des mat\u00e9riaux, inorganiques ou organiques, qui ont la capacit\u00e9 de contr\u00f4ler leur conduction en fonction de la structure chimique, de la temp\u00e9rature, de l&rsquo;illumination et de la pr\u00e9sence de dopants.\u00a0Le nom\u00a0<strong>semi-conducteur<\/strong>\u00a0vient du fait que ces mat\u00e9riaux ont une\u00a0<strong>conductivit\u00e9 \u00e9lectrique<\/strong>\u00a0entre celle d&rsquo;un m\u00e9tal, comme le cuivre, l&rsquo;or, etc. et un isolant, comme le verre.\u00a0Ils ont un\u00a0<strong>\u00e9cart \u00e9nerg\u00e9tique<\/strong>\u00a0inf\u00e9rieur \u00e0 4eV (environ 1eV).\u00a0En physique du solide, cet intervalle d&rsquo;\u00e9nergie ou bande interdite est une plage d&rsquo;\u00e9nergie entre la\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/conduction-and-valence-band-in-semiconductors\/\">bande de valence et la bande de conduction<\/a>o\u00f9 les \u00e9tats \u00e9lectroniques sont interdits.\u00a0Contrairement aux conducteurs, les \u00e9lectrons d&rsquo;un semi-conducteur doivent obtenir de l&rsquo;\u00e9nergie (par exemple \u00e0 partir de rayonnements ionisants) pour traverser la bande interdite et atteindre la bande de conduction.\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/\"><strong>Les propri\u00e9t\u00e9s des semi<\/strong><\/a>\u00a0&#8211;\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/\"><strong>conducteurs<\/strong><\/a>\u00a0sont d\u00e9termin\u00e9es par l&rsquo;\u00e9cart d&rsquo;\u00e9nergie entre les bandes de valence et de conduction.<\/p>\n<h2>Semi-conducteurs extrins\u00e8ques &#8211; Semi-conducteurs dop\u00e9s<\/h2>\n<p>Un\u00a0<strong>semi-conducteur extrins\u00e8que<\/strong>\u00a0, ou\u00a0<strong>semi<\/strong>\u00a0&#8211;\u00a0<strong>conducteur dop\u00e9<\/strong>\u00a0, est un semi-conducteur, qui a \u00e9t\u00e9\u00a0<strong>intentionnellement dop\u00e9<\/strong>\u00a0dans le but de moduler ses propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques, optiques et structurelles.\u00a0Dans le cas des d\u00e9tecteurs semi-conducteurs de rayonnement ionisant, le dopage est l&rsquo;introduction intentionnelle d&rsquo;impuret\u00e9s dans un semi-conducteur intrins\u00e8que dans le but de modifier leurs propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques.\u00a0Par cons\u00e9quent, les semi-conducteurs intrins\u00e8ques sont \u00e9galement appel\u00e9s semi-conducteurs purs ou semi-conducteurs de type i.<\/p>\n<p>L&rsquo;ajout d&rsquo;un petit pourcentage d&rsquo;atomes \u00e9trangers dans le r\u00e9seau cristallin r\u00e9gulier de silicium ou de germanium produit des changements spectaculaires dans leurs propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques, car ces atomes \u00e9trangers incorpor\u00e9s dans la structure cristalline du semi-conducteur fournissent\u00a0<strong>des porteurs de charge gratuits<\/strong>\u00a0(\u00e9lectrons ou trous d&rsquo;\u00e9lectrons) dans le semi-conducteur.\u00a0Dans un semi-conducteur extrins\u00e8que, ce sont ces atomes de dopant \u00e9trangers dans le r\u00e9seau cristallin qui fournissent principalement les porteurs de charge qui transportent le courant \u00e9lectrique \u00e0 travers le cristal.\u00a0En g\u00e9n\u00e9ral, il existe deux types d&rsquo;atomes de dopant r\u00e9sultant en deux types de semi-conducteurs extrins\u00e8ques.\u00a0Ces dopants qui produisent les changements contr\u00f4l\u00e9s souhait\u00e9s sont class\u00e9s comme\u00a0<strong>accepteurs d&rsquo;\u00e9lectrons<\/strong>\u00a0ou\u00a0<strong>donneurs<\/strong>\u00a0et les semi-conducteurs dop\u00e9s correspondants sont appel\u00e9s:<\/p>\n<ul>\n<li><strong>Semi-conducteurs de type n.<\/strong><\/li>\n<li><strong>Semi-conducteurs de type p.<\/strong><\/li>\n<\/ul>\n<p><strong>Les semi<\/strong>\u00a0&#8211;\u00a0<strong>conducteurs extrins\u00e8ques<\/strong>\u00a0sont des composants de nombreux appareils \u00e9lectriques courants, ainsi que de nombreux d\u00e9tecteurs de rayonnement ionisant.\u00a0\u00c0 ces fins, une diode \u00e0 semi-conducteur (dispositifs qui ne permettent le courant que dans une seule direction) est g\u00e9n\u00e9ralement constitu\u00e9e de semi-conducteurs de type p et de type n plac\u00e9s en jonction l&rsquo;un avec l&rsquo;autre.<\/p>\n<h3>Semi-conducteurs de type n<\/h3>\n<p><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26109 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\" alt=\"extrins\u00e8que - semi-conducteur dop\u00e9 - type n - donneur\" width=\"501\" height=\"354\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\" \/><\/a>Un semi-conducteur extrins\u00e8que qui a \u00e9t\u00e9 dop\u00e9 avec des atomes donneurs d&rsquo;\u00e9lectrons est appel\u00e9\u00a0<strong>semi-conducteur de type n<\/strong>, car la majorit\u00e9 des porteurs de charge dans le cristal sont des \u00e9lectrons n\u00e9gatifs.\u00a0Le silicium \u00e9tant un \u00e9l\u00e9ment t\u00e9travalent, la structure cristalline normale contient 4 liaisons covalentes de quatre \u00e9lectrons de valence.\u00a0Dans le silicium, les dopants les plus courants sont les \u00e9l\u00e9ments du groupe III et du groupe V.\u00a0Les \u00e9l\u00e9ments du groupe V (pentavalent) ont cinq \u00e9lectrons de valence, ce qui leur permet d&rsquo;agir comme donneur.\u00a0Cela signifie que l&rsquo;ajout de ces impuret\u00e9s pentavalentes telles que l&rsquo;arsenic, l&rsquo;antimoine ou le phosphore contribue aux \u00e9lectrons libres, augmentant consid\u00e9rablement la conductivit\u00e9 du semi-conducteur intrins\u00e8que.\u00a0Par exemple, un cristal de silicium dop\u00e9 au bore (groupe III) cr\u00e9e un semi-conducteur de type p tandis qu&rsquo;un cristal dop\u00e9 au phosphore (groupe V) donne un semi-conducteur de type n.<\/p>\n<p>Les \u00e9lectrons de conduction sont compl\u00e8tement domin\u00e9s par le nombre d&rsquo;\u00a0<strong>\u00e9lectrons donneurs<\/strong>\u00a0.\u00a0Donc:<\/p>\n<p><strong>Le nombre total d&rsquo;\u00e9lectrons de conduction est approximativement \u00e9gale au nombre de sites donneurs, n\u2248N\u00a0<\/strong><strong><sub>D<\/sub><\/strong><strong>\u00a0.<\/strong><\/p>\n<p>La neutralit\u00e9 de charge du mat\u00e9riau semi-conducteur est maintenue car les sites donneurs excit\u00e9s \u00e9quilibrent les \u00e9lectrons de conduction. Le r\u00e9sultat net est que le nombre d&rsquo;\u00e9lectrons de conduction est augment\u00e9, tandis que le nombre de trous est r\u00e9duit. Le d\u00e9s\u00e9quilibre de la concentration de porteurs dans les bandes respectives est exprim\u00e9 par le nombre absolu diff\u00e9rent d&rsquo;\u00e9lectrons et de trous. Les \u00e9lectrons sont des porteurs majoritaires, tandis que les trous sont des porteurs minoritaires dans un mat\u00e9riau de type n.<\/p>\n<h3><span>Semi-conducteurs de type p<\/span><\/h3>\n<p><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26108 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\" alt=\"extrins\u00e8que - semi-conducteur dop\u00e9 - type p - accepteur\" width=\"499\" height=\"343\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\" \/><\/a><span>Un\u00a0<\/span><strong><span>semi-conducteur extrins\u00e8que<\/span><\/strong><span>\u00a0qui a \u00e9t\u00e9\u00a0<\/span><strong><span>dop\u00e9 avec des<\/span><\/strong><span>\u00a0atomes\u00a0<strong>accepteurs d&rsquo;\u00e9lectrons<\/strong>\u00a0est appel\u00e9\u00a0<\/span><strong><span>semi-conducteur de type p<\/span><\/strong><span>\u00a0, car la majorit\u00e9 des porteurs de charge dans le cristal sont\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/what-is-electron-hole\/\"><span>des trous d&rsquo;\u00e9lectrons<\/span><\/a><span>\u00a0(porteurs de charge positifs).\u00a0Le\u00a0<\/span><strong><span>silicium<\/span><\/strong><span>\u00a0semi-conducteur pur\u00a0<strong>est un \u00e9l\u00e9ment t\u00e9travalent<\/strong>\u00a0, la structure cristalline normale contient 4 liaisons covalentes de quatre \u00e9lectrons de valence.\u00a0Dans le silicium, les\u00a0<\/span><strong><span>dopants<\/span><\/strong><span>\u00a0les plus courants\u00a0<strong>sont les \u00e9l\u00e9ments du groupe III<\/strong>\u00a0et du\u00a0<\/span><strong><span>groupe V<\/span><\/strong><span>.\u00a0Les \u00e9l\u00e9ments du groupe III (trivalents) contiennent tous trois \u00e9lectrons de valence, ce qui les fait fonctionner comme des accepteurs lorsqu&rsquo;ils sont utilis\u00e9s pour doper le silicium.\u00a0Lorsqu&rsquo;un atome accepteur remplace un atome de silicium t\u00e9travalent dans le cristal, un \u00e9tat vacant (un trou d&rsquo;\u00e9lectrons) est cr\u00e9\u00e9.\u00a0Un trou d&rsquo;\u00e9lectrons (souvent simplement appel\u00e9 trou) est le manque d&rsquo;\u00e9lectrons \u00e0 une position o\u00f9 l&rsquo;on pourrait exister dans un atome ou un r\u00e9seau atomique.\u00a0C&rsquo;est l&rsquo;un des deux types de porteurs de charge qui sont responsables de la cr\u00e9ation de courant \u00e9lectrique dans les mat\u00e9riaux semi-conducteurs.\u00a0Ces\u00a0<\/span><strong><span>trous<\/span><\/strong><span>\u00a0charg\u00e9s positivement\u00a0<strong>peuvent se d\u00e9placer<\/strong>\u00a0d&rsquo;atome en atome dans les mat\u00e9riaux semi-conducteurs lorsque les \u00e9lectrons quittent leur position.\u00a0L&rsquo;ajout d&rsquo;impuret\u00e9s trivalentes telles que le\u00a0<\/span><strong><span>bore<\/span><\/strong><span>\u00a0, l&rsquo;\u00a0<\/span><strong><span>aluminium<\/span><\/strong><span>\u00a0ou le\u00a0<\/span><strong><span>gallium<\/span><\/strong><span>\u00e0 un semi-conducteur intrins\u00e8que cr\u00e9e ces trous d&rsquo;\u00e9lectrons positifs dans la structure.\u00a0Par exemple, un cristal de silicium dop\u00e9 au bore (groupe III) cr\u00e9e un semi-conducteur de type p tandis qu&rsquo;un cristal dop\u00e9 au phosphore (groupe V) donne un semi-conducteur de type n.<\/span><\/p>\n<p><span>Le nombre de trous d&rsquo;\u00e9lectrons est enti\u00e8rement domin\u00e9 par le nombre de sites accepteurs.\u00a0Par cons\u00e9quent:<\/span><\/p>\n<p><strong><span>Le nombre total de trous est approximativement \u00e9gale au nombre de sites donneurs, p \u2248 N\u00a0<\/span><\/strong><strong><sub><span>A<\/span><\/sub><\/strong><strong><span>\u00a0.<\/span><\/strong><\/p>\n<p><span>La neutralit\u00e9 de charge de ce mat\u00e9riau semi-conducteur est \u00e9galement maintenue.\u00a0Le r\u00e9sultat net est que le nombre de trous d&rsquo;\u00e9lectrons augmente, tandis que le nombre d&rsquo;\u00e9lectrons de conduction est r\u00e9duit.\u00a0Le d\u00e9s\u00e9quilibre de la concentration de porteurs dans les bandes respectives est exprim\u00e9 par le nombre absolu diff\u00e9rent d&rsquo;\u00e9lectrons et de trous.\u00a0<\/span><strong><span>Les trous d&rsquo;\u00e9lectrons<\/span><\/strong><span>\u00a0sont des\u00a0<\/span><strong><span>porteurs majoritaires<\/span><\/strong><span> , tandis que les \u00e9lectrons sont des porteurs minoritaires dans un mat\u00e9riau de type p.<\/span><\/p>\n<h3><span>La jonction PN &#8211; Jonction biais\u00e9e invers\u00e9e<\/span><\/h3>\n<p><span>Le\u00a0<\/span><strong><span>d\u00e9tecteur \u00e0 semi-conducteur<\/span><\/strong><span>\u00a0fonctionne beaucoup mieux en tant que d\u00e9tecteur de rayonnement si une tension externe est appliqu\u00e9e aux bornes de la jonction dans le\u00a0<\/span><strong><span>sens de polarisation inverse<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0La r\u00e9gion d&rsquo;appauvrissement fonctionnera comme un d\u00e9tecteur de rayonnement.\u00a0Une am\u00e9lioration peut \u00eatre obtenue en utilisant une tension de polarisation inverse \u00e0 la jonction PN pour\u00a0<\/span><strong><span>\u00e9puiser le d\u00e9tecteur<\/span><\/strong><span>\u00a0de porteurs libres, qui est le principe de la plupart des d\u00e9tecteurs semi-conducteurs.\u00a0La polarisation inverse d&rsquo;une jonction augmente l&rsquo;\u00e9paisseur de la r\u00e9gion d&rsquo;appauvrissement car la diff\u00e9rence de potentiel \u00e0 travers la jonction est am\u00e9lior\u00e9e.\u00a0Les d\u00e9tecteurs au germanium ont une\u00a0<\/span><strong><span>structure \u00e0 broches<\/span><\/strong><span>dans laquelle la r\u00e9gion intrins\u00e8que (i) est sensible aux rayonnements ionisants, en particulier aux rayons X et aux rayons gamma.\u00a0Sous polarisation inverse, un champ \u00e9lectrique s&rsquo;\u00e9tend \u00e0 travers la r\u00e9gion intrins\u00e8que ou appauvrie.\u00a0Dans ce cas, une tension n\u00e9gative est appliqu\u00e9e du c\u00f4t\u00e9 p et positive au second.\u00a0Les trous dans la r\u00e9gion p sont attir\u00e9s par la jonction vers le contact p et de m\u00eame pour les \u00e9lectrons et le contact n.\u00a0Cette charge, qui est proportionnelle \u00e0 l&rsquo;\u00e9nergie d\u00e9pos\u00e9e dans le d\u00e9tecteur par le photon entrant, est convertie en impulsion de tension par un pr\u00e9amplificateur sensible \u00e0 la charge int\u00e9gr\u00e9.<\/span><\/p>\n<p><span>Voir aussi: D\u00e9tecteurs au germanium, MIRION Technologies.\u00a0&lt;disponible sur: https:\/\/www.mirion.com\/products\/germanium-detectors&gt;.<\/span><\/p>\n<\/div>\n<div tabindex=\"0\" role=\"button\">\n<p>&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;.<\/p>\n<p>Cet article est bas\u00e9 sur la traduction automatique de l&rsquo;article original en anglais. Pour plus d&rsquo;informations, voir l&rsquo;article en anglais. Pouvez vous nous aider Si vous souhaitez corriger la traduction, envoyez-la \u00e0 l&rsquo;adresse: translations@nuclear-power.com ou remplissez le formulaire de traduction en ligne. Nous appr\u00e9cions votre aide, nous mettrons \u00e0 jour la traduction le plus rapidement possible. Merci<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Un semi-conducteur extrins\u00e8que, ou semi-conducteur dop\u00e9, est un semi-conducteur, qui a \u00e9t\u00e9 intentionnellement dop\u00e9 dans le but de moduler ses propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques, optiques et structurelles.\u00a0Dosim\u00e9trie des rayonnements En g\u00e9n\u00e9ral, les\u00a0semi\u00a0&#8211;\u00a0conducteurs\u00a0sont des mat\u00e9riaux, inorganiques ou organiques, qui ont la capacit\u00e9 de contr\u00f4ler leur conduction en fonction de la structure chimique, de la temp\u00e9rature, de l&rsquo;illumination et &#8230; <a title=\"Qu&rsquo;est-ce que le semi-conducteur extrins\u00e8que &#8211; semi-conducteur dop\u00e9 &#8211; D\u00e9finition\" class=\"read-more\" href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition\/\" aria-label=\"En savoir plus sur Qu&rsquo;est-ce que le semi-conducteur extrins\u00e8que &#8211; semi-conducteur dop\u00e9 &#8211; D\u00e9finition\">Lire la suite<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[49],"tags":[],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v15.4 - https:\/\/yoast.com\/wordpress\/plugins\/seo\/ -->\n<title>Qu&#039;est-ce que le semi-conducteur extrins\u00e8que - semi-conducteur dop\u00e9 - D\u00e9finition<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Un semi-conducteur extrins\u00e8que, ou semi-conducteur dop\u00e9, est un semi-conducteur, qui a \u00e9t\u00e9 intentionnellement dop\u00e9 dans le but de moduler ses propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques, optiques et structurelles. Dosim\u00e9trie des rayonnements\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"fr_FR\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Qu&#039;est-ce que le semi-conducteur extrins\u00e8que - semi-conducteur dop\u00e9 - D\u00e9finition\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Un semi-conducteur extrins\u00e8que, ou semi-conducteur dop\u00e9, est un semi-conducteur, qui a \u00e9t\u00e9 intentionnellement dop\u00e9 dans le but de moduler ses propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques, optiques et structurelles. Dosim\u00e9trie des rayonnements\" \/>\n<meta property=\"og:url\" content=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition\/\" \/>\n<meta property=\"og:site_name\" content=\"Radiation Dosimetry\" \/>\n<meta property=\"article:published_time\" content=\"2020-01-10T05:53:04+00:00\" \/>\n<meta property=\"article:modified_time\" content=\"2020-07-13T10:35:44+00:00\" \/>\n<meta property=\"og:image\" content=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\" \/>\n<meta name=\"twitter:card\" content=\"summary_large_image\" \/>\n<meta name=\"twitter:label1\" content=\"\u00c9crit par\">\n\t<meta name=\"twitter:data1\" content=\"Nick Connor\">\n\t<meta name=\"twitter:label2\" content=\"Dur\u00e9e de lecture est.\">\n\t<meta name=\"twitter:data2\" content=\"6 minutes\">\n<script type=\"application\/ld+json\" class=\"yoast-schema-graph\">{\"@context\":\"https:\/\/schema.org\",\"@graph\":[{\"@type\":\"WebSite\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/#website\",\"url\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/\",\"name\":\"Radiation Dosimetry\",\"description\":\"\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"SearchAction\",\"target\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/?s={search_term_string}\",\"query-input\":\"required name=search_term_string\"}],\"inLanguage\":\"fr-FR\"},{\"@type\":\"ImageObject\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition\/#primaryimage\",\"inLanguage\":\"fr-FR\",\"url\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\"},{\"@type\":\"WebPage\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition\/#webpage\",\"url\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition\/\",\"name\":\"Qu'est-ce que le semi-conducteur extrins\\u00e8que - semi-conducteur dop\\u00e9 - D\\u00e9finition\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/#website\"},\"primaryImageOfPage\":{\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition\/#primaryimage\"},\"datePublished\":\"2020-01-10T05:53:04+00:00\",\"dateModified\":\"2020-07-13T10:35:44+00:00\",\"author\":{\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/#\/schema\/person\/e8c544db9afedaec8574d6464f9398bb\"},\"description\":\"Un semi-conducteur extrins\\u00e8que, ou semi-conducteur dop\\u00e9, est un semi-conducteur, qui a \\u00e9t\\u00e9 intentionnellement dop\\u00e9 dans le but de moduler ses propri\\u00e9t\\u00e9s \\u00e9lectriques, optiques et structurelles. Dosim\\u00e9trie des rayonnements\",\"inLanguage\":\"fr-FR\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"ReadAction\",\"target\":[\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/quest-ce-que-le-semi-conducteur-extrinseque-semi-conducteur-dope-definition\/\"]}]},{\"@type\":\"Person\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/#\/schema\/person\/e8c544db9afedaec8574d6464f9398bb\",\"name\":\"Nick Connor\"}]}<\/script>\n<!-- \/ Yoast SEO plugin. -->","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/15562"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=15562"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/15562\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=15562"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=15562"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=15562"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}