{"id":19374,"date":"2020-06-30T10:59:47","date_gmt":"2020-06-30T10:59:47","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/que-es-el-material-semiconductor-semiconductor-puro-y-dopado-definicion\/"},"modified":"2020-06-30T11:00:47","modified_gmt":"2020-06-30T11:00:47","slug":"que-es-el-material-semiconductor-semiconductor-puro-y-dopado-definicion","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-el-material-semiconductor-semiconductor-puro-y-dopado-definicion\/","title":{"rendered":"Qu\u00e9 es el material semiconductor &#8211; Semiconductor puro y dopado &#8211; Definici\u00f3n"},"content":{"rendered":"<div class=\"su-quote su-quote-style-default\">\n<div class=\"su-quote-inner su-u-clearfix su-u-trim\">Existen muchos materiales semiconductores en la naturaleza y otros sintetizados en laboratorios.\u00a0Pure Semiconductor vs Doped Semiconductor.\u00a0Los m\u00e1s conocidos son silicio (Si) y germanio (Ge).\u00a0Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n<\/div>\n<\/div>\n<div class=\"su-divider su-divider-style-dotted\"><\/div>\n<div class=\"lgc-column lgc-grid-parent lgc-grid-100 lgc-tablet-grid-100 lgc-mobile-grid-100 lgc-equal-heights lgc-first lgc-last\">\n<div class=\"inside-grid-column\">\n<figure id=\"attachment_26115\" class=\"wp-caption alignright\" aria-describedby=\"caption-attachment-26115\"><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-strip-detector-semiconductors.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"size-medium wp-image-26115 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-strip-detector-semiconductors-300x197.png\" alt=\"detector de tiras de silicio - semiconductores\" width=\"300\" height=\"197\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-strip-detector-semiconductors-300x197.png\" \/><\/a><figcaption id=\"caption-attachment-26115\" class=\"wp-caption-text\">Detector de tiras de silicona Fuente: micronsemiconductor.co.uk<\/figcaption><\/figure>\n<p>En general, los\u00a0<strong>semiconductores<\/strong>\u00a0son materiales, inorg\u00e1nicos u org\u00e1nicos, que tienen la capacidad de controlar su conducci\u00f3n dependiendo de la estructura qu\u00edmica, la temperatura, la iluminaci\u00f3n y la presencia de dopantes.\u00a0El nombre\u00a0<strong>semiconductor<\/strong>\u00a0proviene del hecho de que estos materiales tienen una\u00a0<strong>conductividad el\u00e9ctrica<\/strong>\u00a0entre la de un metal, como cobre, oro, etc. y un aislante, como el vidrio.\u00a0Tienen una\u00a0<strong>brecha de energ\u00eda<\/strong>\u00a0inferior a 4eV (aproximadamente 1eV).\u00a0En f\u00edsica de estado s\u00f3lido, este intervalo de energ\u00eda o intervalo de banda es un rango de energ\u00eda entre\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/conduction-and-valence-band-in-semiconductors\/\">la banda de valencia y la banda de conducci\u00f3n.<\/a>donde los estados electr\u00f3nicos est\u00e1n prohibidos.\u00a0A diferencia de los conductores, los electrones en un semiconductor deben obtener energ\u00eda (p. Ej., De la radiaci\u00f3n ionizante) para atravesar el intervalo de banda y alcanzar la banda de conducci\u00f3n.\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/\"><strong>Las propiedades de los semiconductores<\/strong><\/a>\u00a0est\u00e1n determinadas por la brecha de energ\u00eda entre las bandas de valencia y conducci\u00f3n.<\/p>\n<h2>Materiales semiconductores<\/h2>\n<p>Existen muchos\u00a0<strong>tipos de semiconductores<\/strong>\u00a0en la naturaleza y otros sintetizados en laboratorios;\u00a0sin embargo, los m\u00e1s conocidos son silicio (Si) y germanio (Ge).<\/p>\n<p><strong><span>Tipos de semiconductores:<\/span><\/strong><\/p>\n<ul>\n<li>\n<figure id=\"attachment_26466\" class=\"wp-caption alignright\" aria-describedby=\"caption-attachment-26466\"><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-semiconducting-material.jpg\"><img loading=\"lazy\" class=\"size-medium wp-image-26466 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-semiconducting-material-300x209.jpg\" alt=\"silicio - material semiconductor\" width=\"300\" height=\"209\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-semiconducting-material-300x209.jpg\" \/><\/a><figcaption id=\"caption-attachment-26466\" class=\"wp-caption-text\"><span>Silicio purificado.\u00a0Fuente: wikipedia.org Licencia: Dominio p\u00fablico<\/span><\/figcaption><\/figure>\n<p><strong><span>Silicio.\u00a0El silicio<\/span><\/strong><span>\u00a0es un elemento qu\u00edmico con\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-power\/reactor-physics\/atomic-nuclear-physics\/atomic-nuclear-structure\/atomic-number-proton-number\/\"><span>el n\u00famero at\u00f3mico\u00a0<\/span><\/a><strong><span>14, lo<\/span><\/strong><span>\u00a0que significa que hay 14 protones y 14 electrones en la estructura at\u00f3mica.\u00a0El\u00a0<\/span><strong><span>s\u00edmbolo qu\u00edmico<\/span><\/strong><span>\u00a0de Silicon es\u00a0<\/span><strong><span>Si<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0El silicio es un s\u00f3lido cristalino duro y quebradizo con un brillo met\u00e1lico azul gris\u00e1ceo, es un metaloide y semiconductor tetravalente.\u00a0El silicio se usa principalmente para detectores de part\u00edculas cargadas (especialmente para el seguimiento de part\u00edculas cargadas) y detectores de rayos X blandos.\u00a0La gran energ\u00eda de banda prohibida (Egap = 1.12 eV) nos permite operar el detector a temperatura ambiente, pero se prefiere enfriar para reducir el ruido.\u00a0Los detectores basados \u200b\u200ben silicio son muy importantes en la f\u00edsica de alta energ\u00eda.\u00a0Dado que los detectores basados \u200b\u200ben silicio son muy buenos para\u00a0<\/span><strong><span>rastrear part\u00edculas cargadas<\/span><\/strong><span>, constituyen una parte sustancial del sistema de detecci\u00f3n en el LHC en el CERN.<\/span><\/li>\n<li>\n<figure id=\"attachment_26465\" class=\"wp-caption alignright\" aria-describedby=\"caption-attachment-26465\"><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/germanium-semiconducting-material.jpg\"><img loading=\"lazy\" class=\"size-medium wp-image-26465 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/germanium-semiconducting-material-300x300.jpg\" alt=\"Germanio - semiconductor\" width=\"300\" height=\"300\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/germanium-semiconducting-material-300x300.jpg\" \/><\/a><figcaption id=\"caption-attachment-26465\" class=\"wp-caption-text\"><span>12 gramos de germanio policristalino.\u00a0Fuente: wikipedia.org Licencia: CC BY 3.0<\/span><\/figcaption><\/figure>\n<p><strong><span>Germanio.\u00a0El germanio<\/span><\/strong><span>\u00a0es un elemento qu\u00edmico con\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-power\/reactor-physics\/atomic-nuclear-physics\/atomic-nuclear-structure\/atomic-number-proton-number\/\"><span>n\u00famero at\u00f3mico\u00a0<\/span><\/a><strong><span>32, lo<\/span><\/strong><span>\u00a0que significa que hay 32 protones y 32 electrones en la estructura at\u00f3mica.\u00a0El\u00a0<\/span><strong><span>s\u00edmbolo qu\u00edmico<\/span><\/strong><span>\u00a0del germanio es\u00a0<\/span><strong><span>Ge<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0El germanio es un metaloide lustroso, duro, de color blanco gris\u00e1ceo en el grupo de carbono, qu\u00edmicamente similar a su grupo vecino de esta\u00f1o y silicio.\u00a0El germanio puro es un semiconductor con una apariencia similar al silicio elemental.\u00a0El germanio se usa ampliamente para\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/gamma-spectroscopy\/\"><strong><span>la espectroscop\u00eda de rayos gamma<\/span><\/strong><\/a><span>.\u00a0En la espectroscop\u00eda gamma, se prefiere el germanio debido a que su n\u00famero at\u00f3mico es mucho m\u00e1s alto que el silicio y que aumenta la probabilidad de interacci\u00f3n con los rayos gamma.\u00a0El germanio se usa m\u00e1s que el silicio para la detecci\u00f3n de radiaci\u00f3n porque la energ\u00eda promedio necesaria para crear un\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/electron-hole-pair\/\"><span>par de electrones<\/span><\/a><span>\u00a0es 3.6 eV para el silicio y 2.9 eV para el germanio, lo que proporciona a este \u00faltimo una mejor resoluci\u00f3n en energ\u00eda.\u00a0Por otro lado, el germanio tiene una peque\u00f1a energ\u00eda de banda prohibida (\u00a0<\/span><sub><span>brecha<\/span><\/sub><span>\u00a0E\u00a0= 0.67 eV), que requiere operar el detector a temperaturas criog\u00e9nicas.<\/span><\/li>\n<li><strong><span>Diamante<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0El diamante es una forma s\u00f3lida del elemento carbono con sus \u00e1tomos dispuestos en una estructura cristalina llamada diamante c\u00fabico.\u00a0Los diamantes tambi\u00e9n son muy buenos aislantes el\u00e9ctricos, lo que extra\u00f1amente es \u00fatil y problem\u00e1tico para los dispositivos el\u00e9ctricos.\u00a0El diamante es un semiconductor de banda ancha (Egap = 5.47 eV) con alto potencial como material de dispositivo electr\u00f3nico en muchos dispositivos.\u00a0Los detectores de diamantes tienen muchas similitudes con los detectores de silicio, pero se espera que ofrezcan ventajas significativas, en particular una alta dureza de radiaci\u00f3n y corrientes de deriva muy bajas.<\/span><\/li>\n<li><strong><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/semiconductor-detectors-table-of-parameters.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26116 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/semiconductor-detectors-table-of-parameters.png\" alt=\"detectores de semiconductores - tabla de par\u00e1metros\" width=\"467\" height=\"297\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/semiconductor-detectors-table-of-parameters.png\" \/><\/a><span>CdTe y CdZnTe.\u00a0<\/span><\/strong><span>El telururo de cadmio (CdTe) y el telururo de cadmio y zinc (CdZnTe) han sido considerados como materiales semiconductores prometedores para la detecci\u00f3n de rayos X y rayos gamma.\u00a0El alto n\u00famero at\u00f3mico y la alta densidad de estos materiales significan que pueden atenuar efectivamente los rayos X y los rayos gamma con energ\u00edas superiores a 20 keV que los sensores tradicionales basados \u200b\u200ben silicio no pueden detectar.\u00a0Esto aumenta significativamente su eficiencia cu\u00e1ntica en comparaci\u00f3n con el silicio.\u00a0La gran energ\u00eda de banda prohibida (Egap = 1.44 eV) nos permite operar el detector a temperatura ambiente.\u00a0Por otro lado, una p\u00e9rdida considerable de carga en estos detectores produce una resoluci\u00f3n de energ\u00eda reducida.<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<h2><span>Semiconductor puro<\/span><\/h2>\n<p><span>Un\u00a0<\/span><strong><span>semiconductor intr\u00ednseco<\/span><\/strong><span>\u00a0es un\u00a0<strong>semiconductor<\/strong>\u00a0completamente puro sin ninguna especie dopante presente.\u00a0Por lo tanto, los semiconductores intr\u00ednsecos tambi\u00e9n se conocen como semiconductores puros o semiconductores de tipo i.<\/span><\/p>\n<p><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/intrinsic-semiconductor-i-type-semiconductor.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26110 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/intrinsic-semiconductor-i-type-semiconductor.png\" alt=\"semiconductores intr\u00ednsecos\" width=\"500\" height=\"347\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/intrinsic-semiconductor-i-type-semiconductor.png\" \/><\/a><span>Por lo tanto, el n\u00famero de portadores de carga a cierta temperatura est\u00e1 determinado por las propiedades del material en lugar de la cantidad de impurezas.\u00a0Tenga en cuenta que una\u00a0muestra de\u00a01 cm\u00a0<\/span><sup><span>3<\/span><\/sup><span>\u00a0de germanio puro a 20 \u00b0 C contiene aproximadamente 4.2 \u00d7 10\u00a0<\/span><sup><span>22<\/span><\/sup><span>\u00a0\u00e1tomos, pero tambi\u00e9n contiene aproximadamente 2.5 x 10\u00a0<\/span><sup><span>13<\/span><\/sup><span>\u00a0electrones libres y 2.5 x 10\u00a0<\/span><sup><span>13<\/span><\/sup><span>\u00a0agujeros.\u00a0Estos portadores de carga se producen por excitaci\u00f3n t\u00e9rmica.\u00a0En semiconductores intr\u00ednsecos, la cantidad de electrones excitados y la cantidad de agujeros son iguales:\u00a0<\/span><strong><span>n = p<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0Los electrones y los agujeros se crean por excitaci\u00f3n de electrones de la banda de valencia a la banda de conducci\u00f3n.\u00a0Un\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/what-is-electron-hole\/\"><span>agujero de electrones<\/span><\/a><span>(a menudo simplemente llamado un agujero) es la falta de un electr\u00f3n en una posici\u00f3n donde uno podr\u00eda existir en un \u00e1tomo o red at\u00f3mica.\u00a0Esta igualdad puede ser incluso el caso despu\u00e9s de dopaje del semiconductor, aunque solo si est\u00e1 dopado con donantes y aceptadores por igual.\u00a0En este caso, n = p a\u00fan se mantiene, y el semiconductor sigue siendo intr\u00ednseco, aunque dopado.<\/span><\/p>\n<p><span>Los semiconductores tienen una brecha de energ\u00eda inferior a 4eV (aproximadamente 1eV).\u00a0Las brechas de banda son naturalmente diferentes para diferentes materiales.\u00a0Por ejemplo, el diamante es un semiconductor de banda ancha (Egap = 5.47 eV) con alto potencial como material de dispositivo electr\u00f3nico en muchos dispositivos.\u00a0Por otro lado, el germanio tiene una energ\u00eda de separaci\u00f3n de banda peque\u00f1a (\u00a0<\/span><sub><span>separaci\u00f3n<\/span><\/sub><span>\u00a0E\u00a0= 0,67 eV), que requiere operar el detector a temperaturas criog\u00e9nicas.\u00a0En f\u00edsica del estado s\u00f3lido, este intervalo de energ\u00eda o intervalo de banda es un rango de energ\u00eda entre la banda de valencia y la banda de conducci\u00f3n donde los estados de electrones est\u00e1n prohibidos.\u00a0A diferencia de los conductores, los electrones en un semiconductor deben obtener energ\u00eda (por ejemplo, de la radiaci\u00f3n ionizante) para atravesar el intervalo de banda y alcanzar la banda de conducci\u00f3n.<\/span><\/p>\n<p><span>Sin embargo, los semiconductores intr\u00ednsecos no son muy \u00fatiles, ya que no son muy buenos aislantes ni muy buenos conductores.\u00a0Sin embargo, una caracter\u00edstica importante de los semiconductores es que su conductividad se puede aumentar y controlar\u00a0<\/span><strong><span>dopando<\/span><\/strong><span>\u00a0con impurezas y activando con campos el\u00e9ctricos.\u00a0Recuerde, una\u00a0muestra de\u00a01 cm\u00a0<\/span><sup><span>3<\/span><\/sup><span>\u00a0de germanio puro a 20 \u00b0 C contiene aproximadamente 4.2 \u00d7 10\u00a0<\/span><sup><span>22<\/span><\/sup><span>\u00a0\u00e1tomos, pero tambi\u00e9n contiene aproximadamente 2.5 x 10\u00a0<\/span><sup><span>13<\/span><\/sup><span>\u00a0electrones libres y 2.5 x 10\u00a0<\/span><sup><span>13<\/span><\/sup><span>\u00a0agujeros generados constantemente a partir de energ\u00eda t\u00e9rmica.\u00a0La absorci\u00f3n total de un fot\u00f3n de 1 MeV produce alrededor de\u00a0<\/span><strong><span>3 x 10\u00a0<\/span><sup><span>5<\/span><\/sup><span>\u00a0pares de electrones<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0Este valor es menor en comparaci\u00f3n con el n\u00famero total de operadores gratuitos en 1 cm\u00a0<\/span><sup><span>3<\/span><\/sup><span>Semiconductor intr\u00ednseco.\u00a0Como se puede ver, la relaci\u00f3n se\u00f1al \/ ruido (S \/ N) ser\u00eda m\u00ednima.\u00a0La adici\u00f3n de 0.001% de ars\u00e9nico (una impureza) dona 10\u00a0<\/span><sup><span>17<\/span><\/sup><span>\u00a0electrones libres\u00a0adicionales\u00a0en el mismo volumen y la conductividad el\u00e9ctrica se incrementa en un factor de 10,000.\u00a0En material dopado, la relaci\u00f3n se\u00f1al \/ ruido (S \/ N) ser\u00eda a\u00fan menor.\u00a0Debido a que el germanio tiene un intervalo de banda relativamente bajo, estos detectores deben enfriarse para reducir la generaci\u00f3n t\u00e9rmica de portadores de carga a un nivel aceptable.\u00a0De lo contrario, el ruido inducido por la corriente de fuga destruye la resoluci\u00f3n energ\u00e9tica del detector.\u00a0El dopaje y la compuerta mueven la banda de conducci\u00f3n o valencia mucho m\u00e1s cerca del nivel de Fermi, y aumentan en gran medida el n\u00famero de estados parcialmente llenos.<\/span><\/p>\n<h2><span>Semiconductores Dopados<\/span><\/h2>\n<p><span>Un\u00a0<\/span><strong><span>semiconductor extr\u00ednseco<\/span><\/strong><span>\u00a0, o\u00a0<\/span><strong><span>semiconductor dopado<\/span><\/strong><span>\u00a0, es un semiconductor que se\u00a0<\/span><strong><span>dopa intencionalmente con<\/span><\/strong><span>\u00a0el fin de modular sus propiedades el\u00e9ctricas, \u00f3pticas y estructurales.\u00a0En el caso de detectores de semiconductores de radiaci\u00f3n ionizante, el dopaje es la introducci\u00f3n intencional de impurezas en un semiconductor intr\u00ednseco con el fin de cambiar sus propiedades el\u00e9ctricas.\u00a0Por lo tanto, los semiconductores intr\u00ednsecos tambi\u00e9n se conocen como semiconductores puros o semiconductores de tipo i.<\/span><\/p>\n<p><span>La adici\u00f3n de un peque\u00f1o porcentaje de \u00e1tomos extra\u00f1os en la red cristalina regular de silicio o germanio produce cambios dram\u00e1ticos en sus propiedades el\u00e9ctricas, ya que estos \u00e1tomos extra\u00f1os incorporados en la estructura cristalina del semiconductor proporcionan\u00a0<\/span><strong><span>portadores de carga libre<\/span><\/strong><span>\u00a0(electrones o agujeros de electrones) en el semiconductor.\u00a0En un semiconductor extr\u00ednseco, son estos \u00e1tomos dopantes extra\u00f1os en la red cristalina los que proporcionan principalmente los portadores de carga que transportan corriente el\u00e9ctrica a trav\u00e9s del cristal.\u00a0En general, hay dos tipos de \u00e1tomos dopantes que dan como resultado dos tipos de semiconductores extr\u00ednsecos.\u00a0Estos dopantes que producen los cambios controlados deseados se clasifican como\u00a0<\/span><strong><span>aceptores<\/span><\/strong><span>\u00a0o\u00a0<strong>donantes de\u00a0<\/strong><strong>electrones.<\/strong><\/span><span>\u00a0y los semiconductores dopados correspondientes se conocen como:<\/span><\/p>\n<ul>\n<li><strong><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/types-of-semiconductors\/n-type-semiconductors\/\"><span>Semiconductores de tipo n<\/span><\/a><span>\u00a0.<\/span><\/strong><\/li>\n<li><strong><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/types-of-semiconductors\/p-type-semiconductors\/\"><span>Semiconductores tipo p<\/span><\/a><span>\u00a0.<\/span><\/strong><\/li>\n<\/ul>\n<p><strong><span>Los semiconductores extr\u00ednsecos<\/span><\/strong><span>\u00a0son componentes de muchos dispositivos el\u00e9ctricos comunes, as\u00ed como de muchos detectores de radiaci\u00f3n ionizante.\u00a0Para estos fines, un diodo semiconductor (dispositivos que permiten la corriente en una sola direcci\u00f3n) generalmente consta de semiconductores tipo p y tipo n colocados en uni\u00f3n entre s\u00ed.<\/span><\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<\/div>\n<p>&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;.<\/p>\n<p>Este art\u00edculo se basa en la traducci\u00f3n autom\u00e1tica del art\u00edculo original en ingl\u00e9s. Para m\u00e1s informaci\u00f3n vea el art\u00edculo en ingl\u00e9s. Puedes ayudarnos. Si desea corregir la traducci\u00f3n, env\u00edela a: translations@nuclear-power.com o complete el formulario de traducci\u00f3n en l\u00ednea. Agradecemos su ayuda, actualizaremos la traducci\u00f3n lo antes posible. 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