{"id":16694,"date":"2020-03-09T21:21:05","date_gmt":"2020-03-09T21:21:05","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/que-es-el-donador-de-electrones-y-el-receptor-de-electrones-definicion\/"},"modified":"2020-06-30T11:23:34","modified_gmt":"2020-06-30T11:23:34","slug":"que-es-el-donador-de-electrones-y-el-receptor-de-electrones-definicion","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-el-donador-de-electrones-y-el-receptor-de-electrones-definicion\/","title":{"rendered":"\u00bfQu\u00e9 es el donador de electrones y el receptor de electrones? – Definici\u00f3n"},"content":{"rendered":"
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Un donante de electrones es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo n.\u00a0Un aceptor de electrones es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo p.\u00a0Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n<\/div>\n<\/div>\n
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En f\u00edsica de semiconductores, un\u00a0donante de\u00a0<\/strong>electrones<\/strong>\u00a0es un\u00a0\u00e1tomo dopante<\/strong>\u00a0(impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un\u00a0semiconductor de tipo n<\/strong>\u00a0.\u00a0Un\u00a0aceptor de electrones<\/strong>\u00a0es un\u00a0\u00e1tomo dopante<\/strong>\u00a0(impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un\u00a0semiconductor de tipo p<\/strong>\u00a0.\u00a0El proceso de agregar impurezas controladas a un semiconductor se conoce como\u00a0dopaje de semiconductores<\/strong>\u00a0.\u00a0Este proceso cambia un\u00a0semiconductor intr\u00ednseco<\/a>\u00a0a un\u00a0semiconductor extr\u00ednseco<\/a>\u00a0.\u00a0Para ambos tipos de \u00e1tomos donantes o aceptores, el aumento de la densidad del dopante aumenta la conductividad.<\/p>\n

semiconductores de tipo n<\/h2>\n

\"extr\u00ednseco<\/a>Un semiconductor extr\u00ednseco que ha sido dopado con \u00e1tomos donadores de electrones se llama\u00a0semiconductor de tipo n<\/strong>, porque la mayor\u00eda de los portadores de carga en el cristal son electrones negativos.\u00a0Como el silicio es un elemento tetravalente, la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones de valencia.\u00a0En el silicio, los dopantes m\u00e1s comunes son los elementos del grupo III y del grupo V.\u00a0Los elementos del grupo V (pentavalente) tienen cinco electrones de valencia, lo que les permite actuar como donantes.\u00a0Eso significa que la adici\u00f3n de estas impurezas pentavalentes como el ars\u00e9nico, el antimonio o el f\u00f3sforo contribuye a la formaci\u00f3n de electrones libres, lo que aumenta en gran medida la conductividad del semiconductor intr\u00ednseco.\u00a0Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con f\u00f3sforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo n.<\/p>\n

Los electrones de conducci\u00f3n est\u00e1n completamente dominados por la cantidad de\u00a0electrones donadores<\/strong>\u00a0.\u00a0Por lo tanto:<\/p>\n

El n\u00famero total de electrones de conducci\u00f3n es aproximadamente igual al n\u00famero de sitios donantes, n\u2248N\u00a0<\/strong>D<\/sub><\/strong>\u00a0.<\/strong><\/p>\n

La neutralidad de carga del material semiconductor se mantiene porque los sitios donantes excitados equilibran los electrones de conducci\u00f3n.\u00a0El resultado neto es que el n\u00famero de electrones de conducci\u00f3n aumenta, mientras que el n\u00famero de agujeros se reduce.\u00a0El desequilibrio de la concentraci\u00f3n de portadores en las bandas respectivas se expresa por el n\u00famero absoluto diferente de electrones y agujeros.\u00a0Los electrones son portadores mayoritarios, mientras que los agujeros son portadores minoritarios en material de tipo n.<\/p>\n

Semiconductores tipo p<\/h2>\n

\"extr\u00ednseco<\/a>Un\u00a0semiconductor extr\u00ednseco<\/strong>\u00a0que ha sido\u00a0dopado con<\/strong>\u00a0\u00e1tomos\u00a0aceptores de electrones<\/strong>\u00a0se llama\u00a0semiconductor de tipo p<\/strong>\u00a0, porque la mayor\u00eda de los portadores de carga en el cristal son\u00a0agujeros de electrones<\/a>\u00a0(portadores de carga positiva).\u00a0El\u00a0silicio<\/strong>\u00a0semiconductor puro\u00a0es un elemento tetravalente<\/strong>\u00a0, la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones de valencia.\u00a0En el silicio, los\u00a0dopantes<\/strong>\u00a0m\u00e1s comunes\u00a0son los elementos del grupo III<\/strong>\u00a0y del\u00a0grupo V<\/strong>.\u00a0Los elementos del grupo III (trivalentes) contienen tres electrones de valencia, lo que hace que funcionen como aceptores cuando se usan para dopar silicio.\u00a0Cuando un \u00e1tomo aceptor reemplaza un \u00e1tomo de silicio tetravalente en el cristal, se crea un estado vacante (un agujero de electrones).\u00a0Un agujero de electrones (a menudo simplemente llamado agujero) es la falta de un electr\u00f3n en una posici\u00f3n en la que uno pudiera existir en un \u00e1tomo o en una red at\u00f3mica.\u00a0Es uno de los dos tipos de portadores de carga que son responsables de crear corriente el\u00e9ctrica en materiales semiconductores.\u00a0Estos\u00a0agujeros<\/strong>\u00a0cargados positivamente\u00a0pueden moverse<\/strong>\u00a0de un \u00e1tomo a otro en materiales semiconductores a medida que los electrones abandonan sus posiciones.\u00a0La adici\u00f3n de impurezas trivalentes como\u00a0boro<\/strong>\u00a0,\u00a0aluminio<\/strong>\u00a0o\u00a0galio.<\/strong>a un semiconductor intr\u00ednseco crea estos agujeros de electrones positivos en la estructura.\u00a0Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con f\u00f3sforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo n.<\/p>\n

El n\u00famero de agujeros de electrones est\u00e1 completamente dominado por el n\u00famero de sitios aceptores.\u00a0Por lo tanto:<\/p>\n

El n\u00famero total de orificios es aproximadamente igual al n\u00famero de sitios donantes, p \u2248 N\u00a0<\/strong>A<\/sub><\/strong>\u00a0.<\/strong><\/p>\n

La neutralidad de carga de este material semiconductor tambi\u00e9n se mantiene.\u00a0El resultado neto es que el n\u00famero de agujeros de electrones aumenta, mientras que el n\u00famero de electrones de conducci\u00f3n se reduce.\u00a0El desequilibrio de la concentraci\u00f3n de portadores en las bandas respectivas se expresa por el n\u00famero absoluto diferente de electrones y agujeros.\u00a0Los agujeros de electrones<\/strong>\u00a0son\u00a0portadores mayoritarios<\/strong>\u00a0, mientras que los electrones son portadores minoritarios en material tipo p.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

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Este art\u00edculo se basa en la traducci\u00f3n autom\u00e1tica del art\u00edculo original en ingl\u00e9s. Para m\u00e1s informaci\u00f3n vea el art\u00edculo en ingl\u00e9s. Puedes ayudarnos. Si desea corregir la traducci\u00f3n, env\u00edela a: translations@nuclear-power.com o complete el formulario de traducci\u00f3n en l\u00ednea. Agradecemos su ayuda, actualizaremos la traducci\u00f3n lo antes posible. Gracias.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Un donante de electrones es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo n.\u00a0Un aceptor de electrones es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo p.\u00a0Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n En f\u00edsica de semiconductores, un\u00a0donante de\u00a0electrones\u00a0es un\u00a0\u00e1tomo dopante\u00a0(impureza) … Leer m\u00e1s<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[50],"tags":[],"yoast_head":"\n\u00bfQu\u00e9 es el donador de electrones y el receptor de electrones? - Definici\u00f3n<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Un donante de electrones es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo n. 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