{"id":16693,"date":"2020-03-09T20:59:18","date_gmt":"2020-03-09T20:59:18","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/que-es-el-aceptor-en-semiconductores-nivel-de-aceptor-definicion\/"},"modified":"2020-06-30T11:23:14","modified_gmt":"2020-06-30T11:23:14","slug":"que-es-el-aceptor-en-semiconductores-nivel-de-aceptor-definicion","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-el-aceptor-en-semiconductores-nivel-de-aceptor-definicion\/","title":{"rendered":"\u00bfQu\u00e9 es el aceptor en semiconductores? Nivel de aceptor: definici\u00f3n"},"content":{"rendered":"
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En f\u00edsica de semiconductores, un aceptor es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo p.\u00a0Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n<\/div>\n<\/div>\n
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En f\u00edsica de semiconductores, un\u00a0aceptor<\/strong>\u00a0es un\u00a0\u00e1tomo dopante<\/strong>\u00a0(impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un\u00a0semiconductor de tipo p<\/strong>\u00a0.\u00a0El proceso de agregar impurezas controladas a un semiconductor se conoce como\u00a0dopaje de semiconductores<\/strong>\u00a0.\u00a0Este proceso cambia un\u00a0semiconductor intr\u00ednseco<\/a>\u00a0a un\u00a0semiconductor extr\u00ednseco<\/a>\u00a0.\u00a0Para ambos tipos de \u00e1tomos donantes o aceptores, el aumento de la densidad del dopante aumenta la conductividad.<\/p>\n

Semiconductores tipo p<\/h2>\n

\"extr\u00ednseco<\/a>Un\u00a0semiconductor extr\u00ednseco<\/strong>\u00a0que ha sido\u00a0dopado con<\/strong>\u00a0\u00e1tomos\u00a0aceptores de electrones<\/strong>\u00a0se llama\u00a0semiconductor de tipo p<\/strong>\u00a0, porque la mayor\u00eda de los portadores de carga en el cristal son\u00a0agujeros de electrones<\/a>\u00a0(portadores de carga positiva).\u00a0El\u00a0silicio<\/strong>\u00a0semiconductor puro\u00a0es un elemento tetravalente<\/strong>\u00a0, la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones de valencia.\u00a0En el silicio, los\u00a0dopantes<\/strong>\u00a0m\u00e1s comunes\u00a0son los elementos del grupo III<\/strong>\u00a0y del\u00a0grupo V<\/strong>.\u00a0Los elementos del grupo III (trivalentes) contienen tres electrones de valencia, lo que hace que funcionen como aceptores cuando se usan para dopar silicio.\u00a0Cuando un \u00e1tomo aceptor reemplaza un \u00e1tomo de silicio tetravalente en el cristal, se crea un estado vacante (un agujero de electrones).\u00a0Un agujero de electrones (a menudo simplemente llamado agujero) es la falta de un electr\u00f3n en una posici\u00f3n en la que uno pudiera existir en un \u00e1tomo o en una red at\u00f3mica.\u00a0Es uno de los dos tipos de portadores de carga que son responsables de crear corriente el\u00e9ctrica en materiales semiconductores.\u00a0Estos\u00a0agujeros<\/strong>\u00a0cargados positivamente\u00a0pueden moverse<\/strong>\u00a0de un \u00e1tomo a otro en materiales semiconductores a medida que los electrones abandonan sus posiciones.\u00a0La adici\u00f3n de impurezas trivalentes como\u00a0boro<\/strong>\u00a0,\u00a0aluminio<\/strong>\u00a0o\u00a0galio.<\/strong>a un semiconductor intr\u00ednseco crea estos agujeros de electrones positivos en la estructura.\u00a0Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con f\u00f3sforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo n.<\/p>\n

El n\u00famero de agujeros de electrones est\u00e1 completamente dominado por el n\u00famero de sitios aceptores.\u00a0Por lo tanto:<\/p>\n

El n\u00famero total de orificios es aproximadamente igual al n\u00famero de sitios donantes, p \u2248 N\u00a0<\/strong>A<\/sub><\/strong>\u00a0.<\/strong><\/p>\n

La neutralidad de carga de este material semiconductor tambi\u00e9n se mantiene.\u00a0El resultado neto es que el n\u00famero de agujeros de electrones aumenta, mientras que el n\u00famero de electrones de conducci\u00f3n se reduce.\u00a0El desequilibrio de la concentraci\u00f3n de portadores en las bandas respectivas se expresa por el n\u00famero absoluto diferente de electrones y agujeros.\u00a0Los agujeros de electrones<\/strong>\u00a0son\u00a0portadores mayoritarios<\/strong>\u00a0, mientras que los electrones son portadores minoritarios en material tipo p.<\/p>\n

Nivel de aceptador<\/strong><\/h3>\n

Desde el\u00a0punto de vista de la\u00a0brecha energ\u00e9tica<\/a>\u00a0, tales impurezas \u00abcrean\u00bb niveles de energ\u00eda dentro de la brecha de banda\u00a0cerca de la banda de valencia<\/strong>para que los electrones puedan ser excitados f\u00e1cilmente desde la banda de valencia hacia estos niveles, dejando agujeros m\u00f3viles en la banda de valencia.\u00a0Crean niveles \u00abpoco profundos\u00bb, niveles que est\u00e1n muy cerca de la banda de valencia, por lo que la energ\u00eda requerida para ionizar el \u00e1tomo (acepta el electr\u00f3n que llena el agujero y crea otro agujero m\u00e1s lejos del \u00e1tomo sustituido) es peque\u00f1a.\u00a0Esto desplaza el nivel efectivo de Fermi a un punto aproximadamente a medio camino entre los niveles del aceptor y la banda de valencia.\u00a0Nivel de Fermi es el t\u00e9rmino utilizado para describir la parte superior de la colecci\u00f3n de niveles de energ\u00eda electr\u00f3nica a temperatura cero absoluta.\u00a0El nivel de Fermi es la superficie del mar de Fermi en cero absoluto donde ning\u00fan electr\u00f3n tendr\u00e1 suficiente energ\u00eda para elevarse por encima de la superficie.\u00a0En semiconductores puros, la posici\u00f3n del nivel de Fermi est\u00e1 dentro del intervalo de banda, aproximadamente en el medio del intervalo de banda.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

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……………………………………………………………………………………………………………………………….<\/p>\n

Este art\u00edculo se basa en la traducci\u00f3n autom\u00e1tica del art\u00edculo original en ingl\u00e9s. Para m\u00e1s informaci\u00f3n vea el art\u00edculo en ingl\u00e9s. Puedes ayudarnos. Si desea corregir la traducci\u00f3n, env\u00edela a: translations@nuclear-power.com o complete el formulario de traducci\u00f3n en l\u00ednea. Agradecemos su ayuda, actualizaremos la traducci\u00f3n lo antes posible. Gracias.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

En f\u00edsica de semiconductores, un aceptor es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo p.\u00a0Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n En f\u00edsica de semiconductores, un\u00a0aceptor\u00a0es un\u00a0\u00e1tomo dopante\u00a0(impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un\u00a0semiconductor de tipo p\u00a0.\u00a0El proceso de agregar impurezas controladas a un semiconductor … Leer m\u00e1s<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[50],"tags":[],"yoast_head":"\n\u00bfQu\u00e9 es el aceptor en semiconductores? Nivel de aceptor: definici\u00f3n<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"En f\u00edsica de semiconductores, un aceptor es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo p. 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