{"id":16692,"date":"2020-03-09T20:39:59","date_gmt":"2020-03-09T20:39:59","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/que-es-donante-en-semiconductores-nivel-de-donante-definicion\/"},"modified":"2020-06-30T11:22:35","modified_gmt":"2020-06-30T11:22:35","slug":"que-es-donante-en-semiconductores-nivel-de-donante-definicion","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-donante-en-semiconductores-nivel-de-donante-definicion\/","title":{"rendered":"Qu\u00e9 es donante en semiconductores – Nivel de donante – Definici\u00f3n"},"content":{"rendered":"
\n
En f\u00edsica de semiconductores, un donante es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo n.\u00a0Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n<\/div>\n<\/div>\n
<\/div>\n
\n
\n

En f\u00edsica de semiconductores, un\u00a0donante<\/strong>\u00a0es un\u00a0\u00e1tomo dopante<\/strong>\u00a0(impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un\u00a0semiconductor de tipo n<\/strong>\u00a0.\u00a0El proceso de agregar impurezas controladas a un semiconductor se conoce como\u00a0dopaje de semiconductores<\/strong>\u00a0.\u00a0Este proceso cambia un\u00a0semiconductor intr\u00ednseco<\/a>\u00a0a un\u00a0semiconductor extr\u00ednseco<\/a>\u00a0.\u00a0Para ambos tipos de \u00e1tomos donantes o aceptores, el aumento de la densidad del dopante aumenta la conductividad.<\/p>\n

semiconductores de tipo n<\/h2>\n

\"extr\u00ednseco<\/a>Un semiconductor extr\u00ednseco que ha sido dopado con \u00e1tomos donadores de electrones se llama\u00a0semiconductor de tipo n<\/strong>, porque la mayor\u00eda de los portadores de carga en el cristal son electrones negativos.\u00a0Como el silicio es un elemento tetravalente, la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones de valencia.\u00a0En el silicio, los dopantes m\u00e1s comunes son los elementos del grupo III y del grupo V.\u00a0Los elementos del grupo V (pentavalente) tienen cinco electrones de valencia, lo que les permite actuar como donantes.\u00a0Eso significa que la adici\u00f3n de estas impurezas pentavalentes como el ars\u00e9nico, el antimonio o el f\u00f3sforo contribuye a la formaci\u00f3n de electrones libres, lo que aumenta en gran medida la conductividad del semiconductor intr\u00ednseco.\u00a0Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con f\u00f3sforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo n.<\/p>\n

Los electrones de conducci\u00f3n est\u00e1n completamente dominados por la cantidad de\u00a0electrones donadores<\/strong>\u00a0.\u00a0Por lo tanto:<\/p>\n

El n\u00famero total de electrones de conducci\u00f3n es aproximadamente igual al n\u00famero de sitios donantes, n\u2248N\u00a0<\/strong>D<\/sub><\/strong>\u00a0.<\/strong><\/p>\n

La neutralidad de carga del material semiconductor se mantiene porque los sitios donantes excitados equilibran los electrones de conducci\u00f3n.\u00a0El resultado neto es que el n\u00famero de electrones de conducci\u00f3n aumenta, mientras que el n\u00famero de agujeros se reduce.\u00a0El desequilibrio de la concentraci\u00f3n de portadores en las bandas respectivas se expresa por el n\u00famero absoluto diferente de electrones y agujeros.\u00a0Los electrones son portadores mayoritarios, mientras que los agujeros son portadores minoritarios en material de tipo n.<\/p>\n

Nivel de donante<\/h3>\n

Desde el\u00a0punto de vista de la\u00a0brecha de energ\u00eda<\/a>\u00a0, tales impurezas \u00abcrean\u00bb niveles de energ\u00eda en la brecha de banda\u00a0cerca de la banda de conducci\u00f3n<\/strong>\u00a0para que los electrones puedan ser\u00a0excitados f\u00e1cilmente<\/strong>\u00a0desde estos niveles hacia la banda de conducci\u00f3n.\u00a0Se dice que los electrones son los \u00bb\u00a0portadores mayoritarios<\/strong>\u00a0\u00bb para el flujo de corriente en un semiconductor de tipo n.\u00a0Esto cambia el\u00a0nivel<\/a>\u00a0efectivo de\u00a0Fermi<\/a>hasta un punto a medio camino entre los niveles de donantes y la banda de conducci\u00f3n.\u00a0Nivel de Fermi es el t\u00e9rmino utilizado para describir la parte superior de la colecci\u00f3n de niveles de energ\u00eda electr\u00f3nica a temperatura cero absoluta.\u00a0El nivel de Fermi es la superficie del mar de Fermi en cero absoluto donde ning\u00fan electr\u00f3n tendr\u00e1 suficiente energ\u00eda para elevarse por encima de la superficie.\u00a0En semiconductores puros, la posici\u00f3n del nivel de Fermi est\u00e1 dentro del intervalo de banda, aproximadamente en el medio del intervalo de banda.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

\n
\n
\n
<\/div>\n

……………………………………………………………………………………………………………………………….<\/p>\n

Este art\u00edculo se basa en la traducci\u00f3n autom\u00e1tica del art\u00edculo original en ingl\u00e9s. Para m\u00e1s informaci\u00f3n vea el art\u00edculo en ingl\u00e9s. Puedes ayudarnos. Si desea corregir la traducci\u00f3n, env\u00edela a: translations@nuclear-power.com o complete el formulario de traducci\u00f3n en l\u00ednea. Agradecemos su ayuda, actualizaremos la traducci\u00f3n lo antes posible. Gracias.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

En f\u00edsica de semiconductores, un donante es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo n.\u00a0Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n En f\u00edsica de semiconductores, un\u00a0donante\u00a0es un\u00a0\u00e1tomo dopante\u00a0(impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un\u00a0semiconductor de tipo n\u00a0.\u00a0El proceso de agregar impurezas controladas a un semiconductor … Leer m\u00e1s<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[50],"tags":[],"yoast_head":"\nQu\u00e9 es donante en semiconductores - Nivel de donante - Definici\u00f3n<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"En f\u00edsica de semiconductores, un donante es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo n. Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-donante-en-semiconductores-nivel-de-donante-definicion\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"es_ES\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Qu\u00e9 es donante en semiconductores - Nivel de donante - Definici\u00f3n\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"En f\u00edsica de semiconductores, un donante es un \u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo n. Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n\" \/>\n<meta property=\"og:url\" content=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-donante-en-semiconductores-nivel-de-donante-definicion\/\" \/>\n<meta property=\"og:site_name\" content=\"Radiation Dosimetry\" \/>\n<meta property=\"article:published_time\" content=\"2020-03-09T20:39:59+00:00\" \/>\n<meta property=\"article:modified_time\" content=\"2020-06-30T11:22:35+00:00\" \/>\n<meta property=\"og:image\" content=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\" \/>\n<meta name=\"twitter:card\" content=\"summary_large_image\" \/>\n<meta name=\"twitter:label1\" content=\"Escrito por\">\n\t<meta name=\"twitter:data1\" content=\"Nick Connor\">\n\t<meta name=\"twitter:label2\" content=\"Tiempo de lectura\">\n\t<meta name=\"twitter:data2\" content=\"3 minutos\">\n<script type=\"application\/ld+json\" class=\"yoast-schema-graph\">{\"@context\":\"https:\/\/schema.org\",\"@graph\":[{\"@type\":\"WebSite\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#website\",\"url\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/\",\"name\":\"Radiation Dosimetry\",\"description\":\"\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"SearchAction\",\"target\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/?s={search_term_string}\",\"query-input\":\"required name=search_term_string\"}],\"inLanguage\":\"es\"},{\"@type\":\"ImageObject\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-donante-en-semiconductores-nivel-de-donante-definicion\/#primaryimage\",\"inLanguage\":\"es\",\"url\":\"\"},{\"@type\":\"WebPage\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-donante-en-semiconductores-nivel-de-donante-definicion\/#webpage\",\"url\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-donante-en-semiconductores-nivel-de-donante-definicion\/\",\"name\":\"Qu\\u00e9 es donante en semiconductores - Nivel de donante - Definici\\u00f3n\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#website\"},\"primaryImageOfPage\":{\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-donante-en-semiconductores-nivel-de-donante-definicion\/#primaryimage\"},\"datePublished\":\"2020-03-09T20:39:59+00:00\",\"dateModified\":\"2020-06-30T11:22:35+00:00\",\"author\":{\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#\/schema\/person\/e8c544db9afedaec8574d6464f9398bb\"},\"description\":\"En f\\u00edsica de semiconductores, un donante es un \\u00e1tomo dopante (impureza) que, cuando se agrega a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo n. Dosimetr\\u00eda de radiaci\\u00f3n\",\"inLanguage\":\"es\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"ReadAction\",\"target\":[\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-donante-en-semiconductores-nivel-de-donante-definicion\/\"]}]},{\"@type\":\"Person\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#\/schema\/person\/e8c544db9afedaec8574d6464f9398bb\",\"name\":\"Nick Connor\"}]}<\/script>\n<!-- \/ Yoast SEO plugin. -->","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/16692"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=16692"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/16692\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=16692"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=16692"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=16692"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}