{"id":16691,"date":"2020-03-09T20:21:29","date_gmt":"2020-03-09T20:21:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/que-es-la-union-p-n-union-sesgada-inversa-definicion\/"},"modified":"2020-06-30T11:22:06","modified_gmt":"2020-06-30T11:22:06","slug":"que-es-la-union-p-n-union-sesgada-inversa-definicion","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/es\/que-es-la-union-p-n-union-sesgada-inversa-definicion\/","title":{"rendered":"\u00bfQu\u00e9 es la uni\u00f3n P-N? Uni\u00f3n sesgada inversa: definici\u00f3n"},"content":{"rendered":"<div class=\"su-quote su-quote-style-default\">\n<div class=\"su-quote-inner su-u-clearfix su-u-trim\">Se puede lograr una mejora mediante el uso de un voltaje de polarizaci\u00f3n inversa a la uni\u00f3n PN para agotar el detector de portadores libres, que es el principio de la mayor\u00eda de los detectores de semiconductores.\u00a0Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n<\/div>\n<\/div>\n<div class=\"su-divider su-divider-style-dotted\"><\/div>\n<div class=\"lgc-column lgc-grid-parent lgc-grid-100 lgc-tablet-grid-100 lgc-mobile-grid-100 lgc-equal-heights lgc-first lgc-last\">\n<div class=\"inside-grid-column\">\n<figure id=\"attachment_26115\" class=\"wp-caption alignright\" aria-describedby=\"caption-attachment-26115\"><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-strip-detector-semiconductors.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"size-medium wp-image-26115 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-strip-detector-semiconductors-300x197.png\" alt=\"detector de tiras de silicio - semiconductores\" width=\"300\" height=\"197\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-strip-detector-semiconductors-300x197.png\" \/><\/a><figcaption id=\"caption-attachment-26115\" class=\"wp-caption-text\">Detector de tiras de silicona Fuente: micronsemiconductor.co.uk<\/figcaption><\/figure>\n<p>En general, los\u00a0<strong>semiconductores<\/strong>\u00a0son materiales, inorg\u00e1nicos u org\u00e1nicos, que tienen la capacidad de controlar su conducci\u00f3n dependiendo de la estructura qu\u00edmica, la temperatura, la iluminaci\u00f3n y la presencia de dopantes.\u00a0El nombre\u00a0<strong>semiconductor<\/strong>\u00a0proviene del hecho de que estos materiales tienen una\u00a0<strong>conductividad el\u00e9ctrica<\/strong>\u00a0entre la de un metal, como cobre, oro, etc. y un aislante, como el vidrio.\u00a0Tienen una\u00a0<strong>brecha de energ\u00eda<\/strong>\u00a0inferior a 4eV (aproximadamente 1eV).\u00a0En f\u00edsica de estado s\u00f3lido, este intervalo de energ\u00eda o intervalo de banda es un rango de energ\u00eda entre\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/conduction-and-valence-band-in-semiconductors\/\">la banda de valencia y la banda de conducci\u00f3n.<\/a>donde los estados electr\u00f3nicos est\u00e1n prohibidos.\u00a0A diferencia de los conductores, los electrones en un semiconductor deben obtener energ\u00eda (p. Ej., De la radiaci\u00f3n ionizante) para atravesar el intervalo de banda y alcanzar la banda de conducci\u00f3n.\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/\"><strong>Las propiedades de los semiconductores<\/strong><\/a>\u00a0est\u00e1n determinadas por la brecha de energ\u00eda entre las bandas de valencia y conducci\u00f3n.<\/p>\n<h2>La uni\u00f3n PN: uni\u00f3n sesgada inversa<\/h2>\n<p>El\u00a0<strong>detector de semiconductores<\/strong>\u00a0funciona mucho mejor como detector de radiaci\u00f3n si se aplica un voltaje externo a trav\u00e9s de la uni\u00f3n en la\u00a0<strong>direcci\u00f3n de polarizaci\u00f3n inversa<\/strong>\u00a0.\u00a0La regi\u00f3n de agotamiento funcionar\u00e1 como un detector de radiaci\u00f3n.\u00a0Se puede lograr una mejora mediante el uso de un voltaje de polarizaci\u00f3n inversa a la uni\u00f3n PN para\u00a0<strong>agotar el detector<\/strong>\u00a0de portadores libres, que es el principio de la mayor\u00eda de los detectores de semiconductores.\u00a0La polarizaci\u00f3n inversa de una uni\u00f3n aumenta el grosor de la regi\u00f3n de agotamiento porque se mejora la diferencia de potencial a trav\u00e9s de la uni\u00f3n.\u00a0Los detectores de germanio tienen una\u00a0<strong>estructura pin<\/strong>en el que la regi\u00f3n intr\u00ednseca (i) es sensible a la radiaci\u00f3n ionizante, particularmente a los rayos X y los rayos gamma.\u00a0Bajo polarizaci\u00f3n inversa, un campo el\u00e9ctrico se extiende a trav\u00e9s de la regi\u00f3n intr\u00ednseca o agotada.\u00a0En este caso, se aplica voltaje negativo al lado p y positivo al segundo.\u00a0Los agujeros en la regi\u00f3n p son atra\u00eddos desde la uni\u00f3n hacia el contacto p y de manera similar para los electrones y el contacto n.\u00a0Esta carga, que es proporcional a la energ\u00eda depositada en el detector por el fot\u00f3n entrante, se convierte en un pulso de voltaje mediante un preamplificador sensible a la carga integral.<\/p>\n<p>Ver tambi\u00e9n: detectores de germanio, MIRION Technologies.\u00a0&lt;disponible en: https:\/\/www.mirion.com\/products\/germanium-detectors&gt;.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<div class=\"lgc-column lgc-grid-parent lgc-grid-100 lgc-tablet-grid-100 lgc-mobile-grid-100 lgc-equal-heights lgc-first lgc-last\">\n<div class=\"inside-grid-column\">\n<div class=\"su-spoiler su-spoiler-style-default su-spoiler-icon-arrow\" data-anchor=\"References\"><\/div>\n<p>&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;.<\/p>\n<p>Este art\u00edculo se basa en la traducci\u00f3n autom\u00e1tica del art\u00edculo original en ingl\u00e9s. Para m\u00e1s informaci\u00f3n vea el art\u00edculo en ingl\u00e9s. Puedes ayudarnos. Si desea corregir la traducci\u00f3n, env\u00edela a: translations@nuclear-power.com o complete el formulario de traducci\u00f3n en l\u00ednea. Agradecemos su ayuda, actualizaremos la traducci\u00f3n lo antes posible. Gracias.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Se puede lograr una mejora mediante el uso de un voltaje de polarizaci\u00f3n inversa a la uni\u00f3n PN para agotar el detector de portadores libres, que es el principio de la mayor\u00eda de los detectores de semiconductores.\u00a0Dosimetr\u00eda de radiaci\u00f3n Detector de tiras de silicona Fuente: micronsemiconductor.co.uk En general, los\u00a0semiconductores\u00a0son materiales, inorg\u00e1nicos u org\u00e1nicos, que tienen &#8230; <a title=\"\u00bfQu\u00e9 es la uni\u00f3n P-N? 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