{"id":20401,"date":"2020-07-08T10:51:36","date_gmt":"2020-07-08T10:51:36","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/was-ist-halbleitertyp-definition\/"},"modified":"2020-07-08T10:51:36","modified_gmt":"2020-07-08T10:51:36","slug":"was-ist-halbleitertyp-definition","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-halbleitertyp-definition\/","title":{"rendered":"Was ist Halbleitertyp &#8211; Definition"},"content":{"rendered":"<div class=\"su-quote su-quote-style-default\">\n<div class=\"su-quote-inner su-u-clearfix su-u-trim\">Es gibt viele Arten von Halbleitern in der Natur und andere, die in Laboratorien synthetisiert werden.\u00a0Am bekanntesten sind jedoch Silizium (Si) und Germanium (Ge).\u00a0Strahlendosimetrie<\/div>\n<\/div>\n<div class=\"su-divider su-divider-style-dotted\"><\/div>\n<div class=\"lgc-column lgc-grid-parent lgc-grid-100 lgc-tablet-grid-100 lgc-mobile-grid-100 lgc-equal-heights lgc-first lgc-last\">\n<div class=\"inside-grid-column\">\n<figure id=\"attachment_26115\" class=\"wp-caption alignright\" aria-describedby=\"caption-attachment-26115\"><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-strip-detector-semiconductors.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"size-medium wp-image-26115\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-strip-detector-semiconductors-300x197.png\" alt=\"Siliziumstreifendetektor - Halbleiter\" width=\"300\" height=\"197\" \/><\/a><figcaption id=\"caption-attachment-26115\" class=\"wp-caption-text\">Silicin Strip Detector Quelle: micronsemiconductor.co.uk<\/figcaption><\/figure>\n<p><strong>Halbleiter<\/strong>\u00a0sind\u00a0im Allgemeinen\u00a0anorganische oder organische Materialien, deren Leitf\u00e4higkeit von der chemischen Struktur, der Temperatur, der Beleuchtung und dem Vorhandensein von Dotierstoffen abh\u00e4ngt.\u00a0Der Name\u00a0<strong>Halbleiter<\/strong>\u00a0kommt von der Tatsache, dass diese Materialien eine\u00a0<strong>elektrische Leitf\u00e4higkeit<\/strong>\u00a0zwischen einem Metall wie Kupfer, Gold usw. und einem Isolator wie Glas aufweisen.\u00a0Sie haben eine\u00a0<strong>Energiel\u00fccke von<\/strong>\u00a0weniger als 4 eV (etwa 1 eV).\u00a0In der Festk\u00f6rperphysik ist diese Energiel\u00fccke oder Bandl\u00fccke ein Energiebereich zwischen\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/conduction-and-valence-band-in-semiconductors\/\">Valenzband und Leitungsband<\/a>wo Elektronenzust\u00e4nde verboten sind.\u00a0Im Gegensatz zu Leitern m\u00fcssen Elektronen in einem Halbleiter Energie (z. B. aus ionisierender Strahlung) gewinnen, um die Bandl\u00fccke zu \u00fcberqueren und das Leitungsband zu erreichen.\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/\"><strong>Die Eigenschaften von Halbleitern<\/strong><\/a>\u00a0werden durch die Energiel\u00fccke zwischen Valenz- und Leitungsband bestimmt.<\/p>\n<h2>Arten von Halbleitern<\/h2>\n<h3>Halbleitermaterialien<\/h3>\n<p>Es gibt viele\u00a0<strong>Arten von Halbleitern<\/strong>\u00a0in der Natur und andere, die in Laboratorien synthetisiert werden.\u00a0Am bekanntesten sind jedoch Silizium (Si) und Germanium (Ge).<\/p>\n<p><strong><span>Arten von Halbleitern:<\/span><\/strong><\/p>\n<ul>\n<li>\n<figure id=\"attachment_26466\" class=\"wp-caption alignright\" aria-describedby=\"caption-attachment-26466\"><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-semiconducting-material.jpg\"><img loading=\"lazy\" class=\"size-medium wp-image-26466 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-semiconducting-material-300x209.jpg\" alt=\"Silizium - Halbleitermaterial\" width=\"300\" height=\"209\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-semiconducting-material-300x209.jpg\" \/><\/a><figcaption id=\"caption-attachment-26466\" class=\"wp-caption-text\"><span>Gereinigtes Silizium.\u00a0Quelle: wikipedia.org Lizenz: Public Domain<\/span><\/figcaption><\/figure>\n<p><strong><span>Silizium.\u00a0Silizium<\/span><\/strong><span>\u00a0ist ein chemisches Element mit\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-power\/reactor-physics\/atomic-nuclear-physics\/atomic-nuclear-structure\/atomic-number-proton-number\/\"><span>der Ordnungszahl\u00a0<\/span><\/a><strong><span>14,<\/span><\/strong><span>\u00a0was bedeutet, dass sich 14 Protonen und 14 Elektronen in der Atomstruktur befinden.\u00a0Das\u00a0<\/span><strong><span>chemische Symbol<\/span><\/strong><span>\u00a0f\u00fcr Silizium ist\u00a0<\/span><strong><span>Si<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0Silizium ist ein harter und spr\u00f6der kristalliner Feststoff mit einem blaugrauen metallischen Glanz, es ist ein vierwertiges Metalloid und ein Halbleiter.\u00a0Silizium wird haupts\u00e4chlich f\u00fcr Detektoren geladener Teilchen (insbesondere zum Verfolgen geladener Teilchen) und weiche R\u00f6ntgendetektoren verwendet.\u00a0Die Energie mit gro\u00dfer Bandl\u00fccke (Egap = 1,12 eV) erm\u00f6glicht es uns, den Detektor bei Raumtemperatur zu betreiben, aber die K\u00fchlung wird bevorzugt, um das Rauschen zu reduzieren.\u00a0Detektoren auf Siliziumbasis sind in der Hochenergiephysik sehr wichtig.\u00a0Da Detektoren auf Siliziumbasis sehr gut zur\u00a0<strong>Verfolgung geladener Teilchen<\/strong>\u00a0geeignet sind<\/span><span>Sie sind ein wesentlicher Bestandteil des Erkennungssystems am LHC im CERN.<\/span><\/li>\n<li>\n<figure id=\"attachment_26465\" class=\"wp-caption alignright\" aria-describedby=\"caption-attachment-26465\"><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/germanium-semiconducting-material.jpg\"><img loading=\"lazy\" class=\"size-medium wp-image-26465 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/germanium-semiconducting-material-300x300.jpg\" alt=\"Germanium - Halbleiter\" width=\"300\" height=\"300\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/germanium-semiconducting-material-300x300.jpg\" \/><\/a><figcaption id=\"caption-attachment-26465\" class=\"wp-caption-text\"><span>12 Gramm polykristallines Germanium.\u00a0Quelle: wikipedia.org Lizenz: CC BY 3.0<\/span><\/figcaption><\/figure>\n<p><strong><span>Germanium.\u00a0Germanium<\/span><\/strong><span>\u00a0ist ein chemisches Element mit\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-power\/reactor-physics\/atomic-nuclear-physics\/atomic-nuclear-structure\/atomic-number-proton-number\/\"><span>der Ordnungszahl\u00a0<\/span><\/a><strong><span>32,<\/span><\/strong><span>\u00a0was bedeutet, dass sich 32 Protonen und 32 Elektronen in der Atomstruktur befinden.\u00a0Das\u00a0<\/span><strong><span>chemische Symbol<\/span><\/strong><span>\u00a0f\u00fcr Germanium ist\u00a0<\/span><strong><span>Ge<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0Germanium ist ein gl\u00e4nzendes, hartes, grauwei\u00dfes Metalloid in der Kohlenstoffgruppe, das chemisch den Nachbarn Zinn und Silizium seiner Gruppe \u00e4hnlich ist.\u00a0Reines Germanium ist ein Halbleiter mit einem \u00e4hnlichen Aussehen wie elementares Silizium.\u00a0Germanium wird h\u00e4ufig f\u00fcr die\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/gamma-spectroscopy\/\"><strong><span>Gammastrahlenspektroskopie verwendet<\/span><\/strong><\/a><span>.\u00a0In der Gammaspektroskopie wird Germanium bevorzugt, da seine Ordnungszahl viel h\u00f6her als die von Silizium ist und die Wahrscheinlichkeit einer Gammastrahlenwechselwirkung erh\u00f6ht.\u00a0Germanium wird f\u00fcr die Strahlungsdetektion h\u00e4ufiger als Silizium verwendet, da die zur Erzeugung eines\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/electron-hole-pair\/\"><span>Elektron-Loch-Paares<\/span><\/a><span>\u00a0erforderliche durchschnittliche Energie\u00a03,6 eV f\u00fcr Silizium und 2,9 eV f\u00fcr Germanium betr\u00e4gt, was letzterem eine bessere Energieaufl\u00f6sung bietet.\u00a0Andererseits hat Germanium eine kleine Bandl\u00fcckenenergie (E-\u00a0<\/span><sub><span>L\u00fccke<\/span><\/sub><span>\u00a0= 0,67 eV), die es erforderlich macht, den Detektor bei kryogenen Temperaturen zu betreiben.<\/span><\/li>\n<li><strong><span>Diamant<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0Diamant ist eine feste Form des Elements Kohlenstoff, dessen Atome in einer Kristallstruktur angeordnet sind, die als Diamantkubik bezeichnet wird.\u00a0Diamanten sind auch sehr gute elektrische Isolatoren, was seltsamerweise sowohl n\u00fctzlich als auch problematisch f\u00fcr elektrische Ger\u00e4te ist.\u00a0Diamant ist ein Halbleiter mit breiter Bandl\u00fccke (Egap = 5,47 eV) mit hohem Potenzial als Material f\u00fcr elektronische Ger\u00e4te in vielen Ger\u00e4ten.\u00a0Diamantdetektoren haben viele \u00c4hnlichkeiten mit Siliziumdetektoren, es wird jedoch erwartet, dass sie signifikante Vorteile bieten, insbesondere eine hohe Strahlungsh\u00e4rte und sehr niedrige Driftstr\u00f6me.<\/span><\/li>\n<li><strong><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/semiconductor-detectors-table-of-parameters.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26116 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/semiconductor-detectors-table-of-parameters.png\" alt=\"Halbleiterdetektoren - Parametertabelle\" width=\"467\" height=\"297\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/semiconductor-detectors-table-of-parameters.png\" \/><\/a><span>CdTe und CdZnTe.\u00a0<\/span><\/strong><span>Cadmiumtellurid (CdTe) und Cadmiumzinktellurid (CdZnTe) gelten als vielversprechende Halbleitermaterialien f\u00fcr die Detektion von harten R\u00f6ntgen- und Gammastrahlen.\u00a0Aufgrund der hohen Ordnungszahl und der hohen Dichte dieser Materialien k\u00f6nnen sie R\u00f6ntgen- und Gammastrahlen mit Energien von mehr als 20 keV, die herk\u00f6mmliche Sensoren auf Siliziumbasis nicht erfassen k\u00f6nnen, effektiv abschw\u00e4chen.\u00a0Dies erh\u00f6ht ihre Quanteneffizienz im Vergleich zu Silizium signifikant.\u00a0Die gro\u00dfe Bandl\u00fcckenenergie (Egap = 1,44 eV) erm\u00f6glicht es uns, den Detektor bei Raumtemperatur zu betreiben.\u00a0Andererseits f\u00fchrt ein betr\u00e4chtlicher Ladungsverlust in diesen Detektoren zu einer verringerten Energieaufl\u00f6sung.<\/span><\/li>\n<\/ul>\n<h2><span>Intrinsic Semiconductor &#8211; Reiner Halbleiter<\/span><\/h2>\n<p><span>Ein\u00a0<\/span><strong><span>intrinsischer Halbleiter<\/span><\/strong><span>\u00a0ist ein vollst\u00e4ndig reiner Halbleiter, ohne dass signifikante Dotierstoffspezies vorhanden sind.\u00a0Daher sind intrinsische Halbleiter auch als reine Halbleiter oder Halbleiter vom i-Typ bekannt.<\/span><\/p>\n<p><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/intrinsic-semiconductor-i-type-semiconductor.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26110 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/intrinsic-semiconductor-i-type-semiconductor.png\" alt=\"intrinsische Halbleiter\" width=\"500\" height=\"347\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/intrinsic-semiconductor-i-type-semiconductor.png\" \/><\/a><span>Die Anzahl der Ladungstr\u00e4ger bei einer bestimmten Temperatur wird daher durch die Eigenschaften des Materials selbst anstelle der Menge an Verunreinigungen bestimmt.\u00a0Es ist zu beachten, dass eine 1 cm\u00a0<\/span><sup><span>3<\/span><\/sup><span>\u00a0-Probe von reinem Germanium bei 20 \u00b0 C ungef\u00e4hr 4,2 \u00d7 10\u00a0<\/span><sup><span>22<\/span><\/sup><span>\u00a0Atome enth\u00e4lt, aber auch ungef\u00e4hr 2,5 \u00d7 10\u00a0<\/span><sup><span>13<\/span><\/sup><span>\u00a0freie Elektronen und 2,5 \u00d7 10\u00a0<\/span><sup><span>13<\/span><\/sup><span>\u00a0L\u00f6cher enth\u00e4lt.\u00a0Diese Ladungstr\u00e4ger werden durch thermische Anregung erzeugt.\u00a0In intrinsischen Halbleitern sind die Anzahl der angeregten Elektronen und die Anzahl der L\u00f6cher gleich:\u00a0<\/span><strong><span>n = p<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0Elektronen und L\u00f6cher werden durch Anregung von Elektronen vom Valenzband zum Leitungsband erzeugt.\u00a0Ein\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/what-is-electron-hole\/\"><span>Elektronenloch<\/span><\/a><span>(oft einfach als Loch bezeichnet) ist das Fehlen eines Elektrons an einer Position, an der man in einem Atom oder Atomgitter existieren k\u00f6nnte.\u00a0Diese Gleichheit kann sogar nach dem Dotieren des Halbleiters der Fall sein, allerdings nur, wenn er sowohl mit Donoren als auch mit Akzeptoren gleicherma\u00dfen dotiert ist.\u00a0In diesem Fall gilt immer noch n = p, und der Halbleiter bleibt intrinsisch, obwohl er dotiert ist.<\/span><\/p>\n<p><span>Halbleiter haben eine Energiel\u00fccke von weniger als 4 eV (etwa 1 eV).\u00a0Bandl\u00fccken sind nat\u00fcrlich f\u00fcr verschiedene Materialien unterschiedlich.\u00a0Beispielsweise ist Diamant ein Halbleiter mit gro\u00dfer Bandl\u00fccke (Egap = 5,47 eV) mit hohem Potenzial als elektronisches Ger\u00e4tematerial in vielen Ger\u00e4ten.\u00a0Auf der anderen Seite hat Germanium eine kleine Bandl\u00fcckenenergie (E-\u00a0<\/span><sub><span>L\u00fccke<\/span><\/sub><span>\u00a0= 0,67 eV), die es erforderlich macht, den Detektor bei kryogenen Temperaturen zu betreiben.\u00a0In der Festk\u00f6rperphysik ist diese Energiel\u00fccke oder Bandl\u00fccke ein Energiebereich zwischen Valenzband und Leitungsband, in dem Elektronenzust\u00e4nde verboten sind.\u00a0Im Gegensatz zu Leitern m\u00fcssen Elektronen in einem Halbleiter Energie (z. B. aus ionisierender Strahlung) erhalten, um die Bandl\u00fccke zu \u00fcberwinden und das Leitungsband zu erreichen.<\/span><\/p>\n<p><span>Eigenhalbleiter sind jedoch nicht sehr n\u00fctzlich, da sie weder sehr gute Isolatoren noch sehr gute Leiter sind.\u00a0Ein wichtiges Merkmal von Halbleitern ist jedoch, dass ihre Leitf\u00e4higkeit durch\u00a0<\/span><strong><span>Dotieren<\/span><\/strong><span>\u00a0mit Verunreinigungen und\u00a0Ansteuern\u00a0mit elektrischen Feldern\u00a0erh\u00f6ht und gesteuert werden kann\u00a0.\u00a0Es sei daran erinnert, dass eine 1 cm\u00a0<\/span><sup><span>3<\/span><\/sup><span>\u00a0-Probe von reinem Germanium bei 20 \u00b0 C etwa 4,2 \u00d7 10\u00a0<\/span><sup><span>22<\/span><\/sup><span>\u00a0Atome enth\u00e4lt, aber auch etwa 2,5 \u00d7 10\u00a0<\/span><sup><span>13<\/span><\/sup><span>\u00a0freie Elektronen und 2,5 \u00d7 10\u00a0<\/span><sup><span>13<\/span><\/sup><span>\u00a0L\u00f6cher, die st\u00e4ndig aus W\u00e4rmeenergie erzeugt werden.\u00a0Die Gesamtabsorption eines 1 MeV-Photons erzeugt etwa\u00a0<\/span><strong><span>3 x 10\u00a0<\/span><sup><span>5<\/span><\/sup><span>\u00a0Elektron-Loch-Paare<\/span><\/strong><span>\u00a0.\u00a0Dieser Wert ist im Vergleich zur Gesamtzahl der freien Tr\u00e4ger in einem 1 cm\u00a0<sup>3<\/sup>\u00a0gering<\/span><span>intrinsischer Halbleiter.\u00a0Wie zu sehen ist, w\u00e4re das Signal-Rausch-Verh\u00e4ltnis (S \/ N) minimal.\u00a0Die Zugabe von 0,001% Arsen (eine Verunreinigung) spendet zus\u00e4tzliche 10\u00a0<\/span><sup><span>17<\/span><\/sup><span>\u00a0freie Elektronen im gleichen Volumen und die elektrische Leitf\u00e4higkeit wird um den Faktor 10.000 erh\u00f6ht.\u00a0In dotiertem Material w\u00e4re das Signal-Rausch-Verh\u00e4ltnis (S \/ N) noch kleiner.\u00a0Da Germanium eine relativ geringe Bandl\u00fccke aufweist, m\u00fcssen diese Detektoren gek\u00fchlt werden, um die thermische Erzeugung von Ladungstr\u00e4gern auf ein akzeptables Ma\u00df zu reduzieren.\u00a0Andernfalls zerst\u00f6rt durch Leckstrom induziertes Rauschen die Energieaufl\u00f6sung des Detektors.\u00a0Dotierung und Gating bewegen entweder das Leitungs- oder das Valenzband viel n\u00e4her an das Fermi-Niveau und erh\u00f6hen die Anzahl der teilweise gef\u00fcllten Zust\u00e4nde erheblich.<\/span><\/p>\n<h2><span>Extrinsische Halbleiter &#8211; dotierte Halbleiter<\/span><\/h2>\n<p><span>Ein\u00a0<\/span><strong><span>extrinsischer Halbleiter<\/span><\/strong><span>\u00a0oder\u00a0<\/span><strong><span>dotierter Halbleiter<\/span><\/strong><span>\u00a0ist ein Halbleiter, der\u00a0<\/span><strong><span>absichtlich dotiert wurde,<\/span><\/strong><span>\u00a0um seine elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften zu modulieren.\u00a0Im Fall von Halbleiterdetektoren ionisierender Strahlung ist Dotierung das absichtliche Einbringen von Verunreinigungen in einen intrinsischen Halbleiter zum Zwecke der \u00c4nderung ihrer elektrischen Eigenschaften.\u00a0Daher sind intrinsische Halbleiter auch als reine Halbleiter oder Halbleiter vom i-Typ bekannt.<\/span><\/p>\n<p><span>Die Zugabe eines kleinen Prozentsatzes von Fremdatomen in das regul\u00e4re Kristallgitter von Silizium oder Germanium f\u00fchrt zu dramatischen \u00c4nderungen ihrer elektrischen Eigenschaften, da diese in die Kristallstruktur des Halbleiters eingebauten Fremdatome\u00a0<\/span><strong><span>freie Ladungstr\u00e4ger<\/span><\/strong><span>\u00a0(Elektronen oder Elektronenl\u00f6cher) in der\u00a0Struktur bereitstellen\u00a0Halbleiter.\u00a0In einem extrinsischen Halbleiter sind es diese fremden Dotierstoffatome im Kristallgitter, die haupts\u00e4chlich die Ladungstr\u00e4ger bereitstellen, die elektrischen Strom durch den Kristall f\u00fchren.\u00a0Im Allgemeinen gibt es zwei Arten von Dotierstoffatomen, die zu zwei Arten von extrinsischen Halbleitern f\u00fchren.\u00a0Diese Dotierstoffe, die die gew\u00fcnschten kontrollierten Ver\u00e4nderungen hervorrufen, werden entweder als\u00a0<\/span><strong><span>Elektronenakzeptoren<\/span><\/strong><span>\u00a0oder als\u00a0<strong>Donoren<\/strong>\u00a0klassifiziert<\/span><span>\u00a0und die entsprechenden dotierten Halbleiter sind bekannt als:<\/span><\/p>\n<ul>\n<li><strong><span>Halbleiter vom n-Typ.<\/span><\/strong><\/li>\n<li><strong><span>p-Halbleiter.<\/span><\/strong><\/li>\n<\/ul>\n<p><strong><span>Extrinsische Halbleiter<\/span><\/strong><span>\u00a0sind Bestandteile vieler g\u00e4ngiger elektrischer Ger\u00e4te sowie vieler Detektoren ionisierender Strahlung.\u00a0Zu diesem Zweck besteht eine Halbleiterdiode (Bauelemente, die nur Strom in eine Richtung zulassen) normalerweise aus Halbleitern vom p-Typ und n-Typ, die in Verbindung miteinander angeordnet sind.<\/span><\/p>\n<h3><span>Halbleiter vom n-Typ<\/span><\/h3>\n<p><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26109 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\" alt=\"extrinsisch dotierter Halbleiter-n-Typ-Donor\" width=\"501\" height=\"354\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\" \/><\/a><span>Ein extrinsischer Halbleiter, der mit Elektronendonoratomen dotiert wurde, wird als\u00a0<\/span><strong><span>n-Halbleiter bezeichnet<\/span><\/strong><span>, weil die Mehrheit der Ladungstr\u00e4ger im Kristall negative Elektronen sind.\u00a0Da Silizium ein vierwertiges Element ist, enth\u00e4lt die normale Kristallstruktur 4 kovalente Bindungen von vier Valenzelektronen.\u00a0In Silizium sind die h\u00e4ufigsten Dotierstoffe Elemente der Gruppe III und der Gruppe V.\u00a0Elemente der Gruppe V (f\u00fcnfwertig) haben f\u00fcnf Valenzelektronen, wodurch sie als Donor fungieren k\u00f6nnen.\u00a0Das hei\u00dft, die Zugabe dieser f\u00fcnfwertigen Verunreinigungen wie Arsen, Antimon oder Phosphor tr\u00e4gt zu freien Elektronen bei, wodurch die Leitf\u00e4higkeit des intrinsischen Halbleiters stark erh\u00f6ht wird.\u00a0Beispielsweise erzeugt ein mit Bor dotierter Siliziumkristall (Gruppe III) einen Halbleiter vom p-Typ, w\u00e4hrend ein mit Phosphor dotierter Kristall (Gruppe V) einen Halbleiter vom n-Typ ergibt.<\/span><\/p>\n<p><span>Die Leitungselektronen werden vollst\u00e4ndig von der Anzahl der\u00a0<\/span><strong><span>Donorelektronen<\/span><\/strong><span>\u00a0dominiert\u00a0.\u00a0Deshalb:<\/span><\/p>\n<p><strong><span>Die Gesamtzahl der Leitungselektronen ist in\u00a0etwa gleich der Zahl der Spenderstellen, n\u2248N\u00a0<\/span><\/strong><strong><sub><span>D<\/span><\/sub><\/strong><strong><span>\u00a0.<\/span><\/strong><\/p>\n<p><span>Die Ladungsneutralit\u00e4t des Halbleitermaterials bleibt erhalten, da angeregte Donorstellen die Leitungselektronen ausgleichen.\u00a0Das Nettoergebnis ist, dass die Anzahl der Leitungselektronen erh\u00f6ht wird, w\u00e4hrend die Anzahl der L\u00f6cher verringert wird.\u00a0Das Ungleichgewicht der Tr\u00e4gerkonzentration in den jeweiligen B\u00e4ndern wird durch die unterschiedliche absolute Anzahl von Elektronen und L\u00f6chern ausgedr\u00fcckt.\u00a0Elektronen sind Majorit\u00e4tstr\u00e4ger, w\u00e4hrend L\u00f6cher Minorit\u00e4tstr\u00e4ger in n-Typ-Material sind.<\/span><\/p>\n<h3><span>p-Halbleiter<\/span><\/h3>\n<p><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26108 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\" alt=\"extrinsisch dotierter Halbleiter - p-Typ - Akzeptor\" width=\"499\" height=\"343\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\" \/><\/a><span>Ein\u00a0<\/span><strong><span>extrinsischer Halbleiter,<\/span><\/strong><span>\u00a0der\u00a0<\/span><strong><span>mit Elektronenakzeptoratomen dotiert wurde<\/span><\/strong><span>\u00a0, wird als\u00a0<\/span><strong><span>p-Halbleiter bezeichnet<\/span><\/strong><span>\u00a0, da die Mehrheit der Ladungstr\u00e4ger im Kristall\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/what-is-electron-hole\/\"><span>Elektronenl\u00f6cher<\/span><\/a><span>\u00a0(positive Ladungstr\u00e4ger) sind.\u00a0Das reine Halbleitersilizium\u00a0<\/span><strong><span>ist ein vierwertiges Element<\/span><\/strong><span>\u00a0, die normale Kristallstruktur enth\u00e4lt 4 kovalente Bindungen von vier Valenzelektronen.\u00a0In Silizium sind die h\u00e4ufigsten\u00a0<\/span><strong><span>Dotierstoffe\u00a0<\/span><\/strong><span><strong>Elemente der\u00a0<\/strong><strong>Gruppe III<\/strong>\u00a0und der\u00a0<\/span><strong><span>Gruppe V.<\/span><\/strong><span>.\u00a0Elemente der Gruppe III (dreiwertig) enthalten alle drei Valenzelektronen, wodurch sie als Akzeptoren fungieren, wenn sie zum Dotieren von Silizium verwendet werden.\u00a0Wenn ein Akzeptoratom ein vierwertiges Siliziumatom im Kristall ersetzt, entsteht ein leerer Zustand (ein Elektronenloch).\u00a0Ein Elektronenloch (oft einfach als Loch bezeichnet) ist das Fehlen eines Elektrons an einer Position, an der man in einem Atom oder Atomgitter existieren k\u00f6nnte.\u00a0Es ist eine der beiden Arten von Ladungstr\u00e4gern, die f\u00fcr die Erzeugung von elektrischem Strom in halbleitenden Materialien verantwortlich sind.\u00a0Diese positiv geladenen\u00a0<\/span><strong><span>L\u00f6cher k\u00f6nnen sich<\/span><\/strong><span>\u00a0in halbleitenden Materialien von Atom zu Atom\u00a0<strong>bewegen,<\/strong>\u00a0wenn Elektronen ihre Position verlassen.\u00a0Die Zugabe von dreiwertigen Verunreinigungen wie\u00a0<\/span><strong><span>Bor<\/span><\/strong><span>\u00a0,\u00a0<\/span><strong><span>Aluminium<\/span><\/strong><span>\u00a0oder\u00a0<\/span><strong><span>Gallium<\/span><\/strong><span>zu einem intrinsischen Halbleiter erzeugt diese positiven Elektronenl\u00f6cher in der Struktur.\u00a0Beispielsweise erzeugt ein mit Bor dotierter Siliziumkristall (Gruppe III) einen Halbleiter vom p-Typ, w\u00e4hrend ein mit Phosphor dotierter Kristall (Gruppe V) einen Halbleiter vom n-Typ ergibt.<\/span><\/p>\n<p><span>Die Anzahl der Elektronenl\u00f6cher wird vollst\u00e4ndig von der Anzahl der Akzeptorstellen dominiert.\u00a0Deshalb:<\/span><\/p>\n<p><strong><span>Die Gesamtzahl von L\u00f6chern ist ungef\u00e4hr gleich der Anzahl der Spenderstellen, p \u2248 N\u00a0<\/span><\/strong><strong><sub><span>A<\/span><\/sub><\/strong><strong><span>\u00a0.<\/span><\/strong><\/p>\n<p><span>Die Ladungsneutralit\u00e4t dieses Halbleitermaterials bleibt ebenfalls erhalten.\u00a0Das Nettoergebnis ist, dass die Anzahl der Elektronenl\u00f6cher erh\u00f6ht wird, w\u00e4hrend die Anzahl der Leitungselektronen verringert wird.\u00a0Das Ungleichgewicht der Tr\u00e4gerkonzentration in den jeweiligen B\u00e4ndern wird durch die unterschiedliche absolute Anzahl von Elektronen und L\u00f6chern ausgedr\u00fcckt.\u00a0<\/span><strong><span>Elektronenl\u00f6cher<\/span><\/strong><span>\u00a0sind\u00a0<\/span><strong><span>Majorit\u00e4tstr\u00e4ger<\/span><\/strong><span> , w\u00e4hrend Elektronen Minorit\u00e4tstr\u00e4ger in p-Material sind.<\/span><\/p>\n<h3><span>Die PN-Verbindung &#8211; Reverse Bias Junction<\/span><\/h3>\n<p><span>Der\u00a0<\/span><strong><span>Halbleiterdetektor<\/span><\/strong><span>\u00a0arbeitet viel besser als Strahlungsdetektor, wenn eine externe Spannung in\u00a0<\/span><strong><span>umgekehrter Vorspannungsrichtung<\/span><\/strong><span>\u00a0\u00fcber den \u00dcbergang angelegt wird\u00a0.\u00a0Der Verarmungsbereich fungiert als Strahlungsdetektor.\u00a0Eine Verbesserung kann durch Verwendung einer Sperrspannung am PN-\u00dcbergang erreicht werden, um\u00a0<\/span><strong><span>den Detektor<\/span><\/strong><span>\u00a0von freien Ladungstr\u00e4gern zu befreien, was das Prinzip der meisten Halbleiterdetektoren ist.\u00a0Die umgekehrte Vorspannung eines \u00dcbergangs erh\u00f6ht die Dicke des Verarmungsbereichs, da die Potentialdifferenz \u00fcber den \u00dcbergang erh\u00f6ht wird.\u00a0Germaniumdetektoren haben eine\u00a0<\/span><strong><span>Stiftstruktur<\/span><\/strong><span>in dem der intrinsische (i) Bereich gegen\u00fcber ionisierender Strahlung, insbesondere R\u00f6ntgen- und Gammastrahlen, empfindlich ist.\u00a0Unter Sperrvorspannung erstreckt sich ein elektrisches Feld \u00fcber den intrinsischen oder abgereicherten Bereich.\u00a0In diesem Fall wird eine negative Spannung an die p-Seite und eine positive an die zweite Seite angelegt.\u00a0L\u00f6cher im p-Bereich werden vom \u00dcbergang zum p-Kontakt und \u00e4hnlich zu Elektronen und dem n-Kontakt angezogen.\u00a0Diese Ladung, die proportional zu der vom einfallenden Photon im Detektor abgelagerten Energie ist, wird von einem integrierten ladungsempfindlichen Vorverst\u00e4rker in einen Spannungsimpuls umgewandelt.<\/span><\/p>\n<p><span>Siehe auch: Germaniumdetektoren, MIRION Technologies.\u00a0&lt;verf\u00fcgbar unter: https:\/\/www.mirion.com\/products\/germanium-detectors&gt;.<\/span><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<p>&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;.<\/p>\n<p>Dieser Artikel basiert auf der maschinellen \u00dcbersetzung des englischen Originalartikels. Weitere Informationen finden Sie im Artikel auf Englisch. Sie k\u00f6nnen uns helfen. Wenn Sie die \u00dcbersetzung korrigieren m\u00f6chten, senden Sie diese bitte an: translations@nuclear-power.com oder f\u00fcllen Sie das Online-\u00dcbersetzungsformular aus. Wir bedanken uns f\u00fcr Ihre Hilfe und werden die \u00dcbersetzung so schnell wie m\u00f6glich aktualisieren. Danke.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Es gibt viele Arten von Halbleitern in der Natur und andere, die in Laboratorien synthetisiert werden.\u00a0Am bekanntesten sind jedoch Silizium (Si) und Germanium (Ge).\u00a0Strahlendosimetrie Silicin Strip Detector Quelle: micronsemiconductor.co.uk Halbleiter\u00a0sind\u00a0im Allgemeinen\u00a0anorganische oder organische Materialien, deren Leitf\u00e4higkeit von der chemischen Struktur, der Temperatur, der Beleuchtung und dem Vorhandensein von Dotierstoffen abh\u00e4ngt.\u00a0Der Name\u00a0Halbleiter\u00a0kommt von der Tatsache, dass &#8230; <a title=\"Was ist Halbleitertyp &#8211; Definition\" class=\"read-more\" href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-halbleitertyp-definition\/\" aria-label=\"Mehr dazu unter Was ist Halbleitertyp &#8211; Definition\">Weiterlesen<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[48],"tags":[],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v15.4 - https:\/\/yoast.com\/wordpress\/plugins\/seo\/ -->\n<title>Was ist Halbleitertyp - Definition<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Es gibt viele Arten von Halbleitern in der Natur und andere, die in Laboratorien synthetisiert werden. Am bekanntesten sind jedoch Silizium (Si) und Germanium (Ge). Strahlendosimetrie\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-halbleitertyp-definition\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"de_DE\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Was ist Halbleitertyp - Definition\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Es gibt viele Arten von Halbleitern in der Natur und andere, die in Laboratorien synthetisiert werden. Am bekanntesten sind jedoch Silizium (Si) und Germanium (Ge). Strahlendosimetrie\" \/>\n<meta property=\"og:url\" content=\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-halbleitertyp-definition\/\" \/>\n<meta property=\"og:site_name\" content=\"Radiation Dosimetry\" \/>\n<meta property=\"article:published_time\" content=\"2020-07-08T10:51:36+00:00\" \/>\n<meta property=\"og:image\" content=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-strip-detector-semiconductors-300x197.png\" \/>\n<meta name=\"twitter:card\" content=\"summary_large_image\" \/>\n<meta name=\"twitter:label1\" content=\"Verfasst von\">\n\t<meta name=\"twitter:data1\" content=\"Nick Connor\">\n\t<meta name=\"twitter:label2\" content=\"Gesch\u00e4tzte Lesezeit\">\n\t<meta name=\"twitter:data2\" content=\"9\u00a0Minuten\">\n<script type=\"application\/ld+json\" class=\"yoast-schema-graph\">{\"@context\":\"https:\/\/schema.org\",\"@graph\":[{\"@type\":\"WebSite\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#website\",\"url\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/\",\"name\":\"Radiation Dosimetry\",\"description\":\"\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"SearchAction\",\"target\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/?s={search_term_string}\",\"query-input\":\"required name=search_term_string\"}],\"inLanguage\":\"de\"},{\"@type\":\"ImageObject\",\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-halbleitertyp-definition\/#primaryimage\",\"inLanguage\":\"de\",\"url\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/silicon-strip-detector-semiconductors-300x197.png\"},{\"@type\":\"WebPage\",\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-halbleitertyp-definition\/#webpage\",\"url\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-halbleitertyp-definition\/\",\"name\":\"Was ist Halbleitertyp - Definition\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#website\"},\"primaryImageOfPage\":{\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-halbleitertyp-definition\/#primaryimage\"},\"datePublished\":\"2020-07-08T10:51:36+00:00\",\"dateModified\":\"2020-07-08T10:51:36+00:00\",\"author\":{\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#\/schema\/person\/e8c544db9afedaec8574d6464f9398bb\"},\"description\":\"Es gibt viele Arten von Halbleitern in der Natur und andere, die in Laboratorien synthetisiert werden. Am bekanntesten sind jedoch Silizium (Si) und Germanium (Ge). Strahlendosimetrie\",\"inLanguage\":\"de\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"ReadAction\",\"target\":[\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-halbleitertyp-definition\/\"]}]},{\"@type\":\"Person\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#\/schema\/person\/e8c544db9afedaec8574d6464f9398bb\",\"name\":\"Nick Connor\"}]}<\/script>\n<!-- \/ Yoast SEO plugin. -->","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/20401"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=20401"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/20401\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=20401"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=20401"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=20401"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}