{"id":12934,"date":"2019-12-18T12:26:09","date_gmt":"2019-12-18T12:26:09","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/was-ist-donor-in-halbleitern-donor-level-definition\/"},"modified":"2020-07-08T10:35:18","modified_gmt":"2020-07-08T10:35:18","slug":"was-ist-donor-in-halbleitern-donor-level-definition","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-donor-in-halbleitern-donor-level-definition\/","title":{"rendered":"Was ist Donor in Halbleitern &#8211; Donor Level &#8211; Definition"},"content":{"rendered":"<div class=\"su-quote su-quote-style-default\">\n<div class=\"su-quote-inner su-u-clearfix su-u-trim\">In der Halbleiterphysik ist ein Donor ein Dotierstoffatom (Verunreinigung), das, wenn es zu einem Halbleiter hinzugef\u00fcgt wird, einen Halbleiter vom n-Typ bilden kann.\u00a0Strahlendosimetrie<\/div>\n<\/div>\n<div class=\"su-divider su-divider-style-dotted\"><\/div>\n<div class=\"lgc-column lgc-grid-parent lgc-grid-100 lgc-tablet-grid-100 lgc-mobile-grid-100 lgc-equal-heights lgc-first lgc-last\">\n<div class=\"inside-grid-column\">\n<p>In der Halbleiterphysik ist ein\u00a0<strong>Donor<\/strong>\u00a0ein\u00a0<strong>Dotierstoffatom<\/strong>\u00a0(Verunreinigung), das, wenn es zu einem Halbleiter hinzugef\u00fcgt wird, einen Halbleiter vom\u00a0<strong>n-Typ<\/strong>\u00a0bilden kann\u00a0.\u00a0Der Vorgang des Hinzuf\u00fcgens kontrollierter Verunreinigungen zu einem Halbleiter ist als\u00a0<strong>Halbleiterdotierung bekannt<\/strong>\u00a0.\u00a0Dieser Prozess wandelt einen\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/types-of-semiconductors\/intrinsic-semiconductor-pure-semiconductor\/\">intrinsischen Halbleiter<\/a>\u00a0in einen\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/types-of-semiconductors\/extrinsic-semiconductors-doped-semiconductors\/\">extrinsischen Halbleiter um<\/a>\u00a0.\u00a0Bei beiden Arten von Donor- oder Akzeptoratomen erh\u00f6ht eine zunehmende Dotierstoffdichte die Leitf\u00e4higkeit.<\/p>\n<h2>Halbleiter vom n-Typ<\/h2>\n<p><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26109\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\" alt=\"extrinsisch - dotierter Halbleiter - n-Typ - Donor\" width=\"501\" height=\"354\" \/><\/a>Ein mit Elektronendonoratomen dotierter fremder Halbleiter wird als\u00a0<strong>n-Halbleiter bezeichnet<\/strong>, weil die Mehrzahl der Ladungstr\u00e4ger im Kristall negative Elektronen sind.\u00a0Da Silizium ein vierwertiges Element ist, enth\u00e4lt die normale Kristallstruktur 4 kovalente Bindungen von vier Valenzelektronen.\u00a0In Silizium sind die h\u00e4ufigsten Dotierstoffe Elemente der Gruppe III und der Gruppe V.\u00a0Gruppe-V-Elemente (f\u00fcnfwertig) haben f\u00fcnf Valenzelektronen, wodurch sie als Donor fungieren k\u00f6nnen.\u00a0Das hei\u00dft, der Zusatz dieser f\u00fcnfwertigen Verunreinigungen wie Arsen, Antimon oder Phosphor tr\u00e4gt zu freien Elektronen bei und erh\u00f6ht die Leitf\u00e4higkeit des intrinsischen Halbleiters erheblich.\u00a0Beispielsweise erzeugt ein mit Bor dotierter Siliziumkristall (Gruppe III) einen Halbleiter vom p-Typ, w\u00e4hrend ein mit Phosphor dotierter Kristall (Gruppe V) einen Halbleiter vom n-Typ ergibt.<\/p>\n<p>Die Leitungselektronen werden vollst\u00e4ndig von der Anzahl der\u00a0<strong>Donorelektronen<\/strong>\u00a0dominiert\u00a0.\u00a0Deshalb:<\/p>\n<p><strong>Die Gesamtzahl der Leitungselektronen ist in\u00a0etwa gleich der Zahl der Spenderstellen, n\u2248N\u00a0<\/strong><strong><sub>D<\/sub><\/strong><strong>\u00a0.<\/strong><\/p>\n<p>Die Ladungsneutralit\u00e4t des Halbleitermaterials bleibt erhalten, da angeregte Donorstellen die Leitungselektronen ausgleichen.\u00a0Das Nettoergebnis ist, dass die Anzahl der Leitungselektronen erh\u00f6ht wird, w\u00e4hrend die Anzahl der L\u00f6cher verringert wird.\u00a0Das Ungleichgewicht der Ladungstr\u00e4gerkonzentration in den jeweiligen B\u00e4ndern wird durch die unterschiedliche absolute Anzahl von Elektronen und L\u00f6chern ausgedr\u00fcckt.\u00a0Elektronen sind Majorit\u00e4tstr\u00e4ger, w\u00e4hrend L\u00f6cher Minorit\u00e4tstr\u00e4ger in n-Typ-Material sind.<\/p>\n<h3>Geberniveau<\/h3>\n<p>Unter dem\u00a0Gesichtspunkt\u00a0der\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/band-gap-energy-gap\/\">Energiel\u00fccke<\/a>\u00a0&#8222;erzeugen&#8220; solche Verunreinigungen Energieniveaus in der Bandl\u00fccke\u00a0<strong>nahe dem Leitungsband,<\/strong>\u00a0so dass Elektronen\u00a0von diesen Niveaus\u00a0<strong>leicht<\/strong>\u00a0in das Leitungsband\u00a0<strong>angeregt<\/strong>\u00a0werden\u00a0<strong>k\u00f6nnen<\/strong>\u00a0.\u00a0Die Elektronen sollen die &#8220;\u00a0<strong>Majorit\u00e4tstr\u00e4ger<\/strong>\u00a0&#8220; f\u00fcr den Stromfluss in einem n-Halbleiter sein.\u00a0Dies verschiebt das effektive\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/fermi-level\/\">Fermi-Niveau<\/a>bis zu einem Punkt etwa auf halbem Weg zwischen den Donorwerten und dem Leitungsband.\u00a0Ferminiveau ist der Begriff, der verwendet wird, um die Spitze der Sammlung von Elektronenenergieniveaus bei absoluter Nulltemperatur zu beschreiben.\u00a0Das Fermi-Niveau ist die Oberfl\u00e4che des Fermi-Meeres bei absolutem Nullpunkt, an der keine Elektronen genug Energie haben, um sich \u00fcber die Oberfl\u00e4che zu erheben.\u00a0Bei reinen Halbleitern liegt die Position des Fermi-Pegels innerhalb der Bandl\u00fccke, ungef\u00e4hr in der Mitte der Bandl\u00fccke.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<div class=\"lgc-column lgc-grid-parent lgc-grid-100 lgc-tablet-grid-100 lgc-mobile-grid-100 lgc-equal-heights lgc-first lgc-last\">\n<div class=\"inside-grid-column\">\n<div class=\"su-spoiler su-spoiler-style-default su-spoiler-icon-arrow\" data-anchor=\"References\">\n<div class=\"su-spoiler-title\" tabindex=\"0\" role=\"button\"><\/div>\n<p>&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;.<\/p>\n<p>Dieser Artikel basiert auf der maschinellen \u00dcbersetzung des englischen Originalartikels. Weitere Informationen finden Sie im Artikel auf Englisch. Sie k\u00f6nnen uns helfen. Wenn Sie die \u00dcbersetzung korrigieren m\u00f6chten, senden Sie diese bitte an: translations@nuclear-power.com oder f\u00fcllen Sie das Online-\u00dcbersetzungsformular aus. Wir bedanken uns f\u00fcr Ihre Hilfe und werden die \u00dcbersetzung so schnell wie m\u00f6glich aktualisieren. Danke.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>In der Halbleiterphysik ist ein Donor ein Dotierstoffatom (Verunreinigung), das, wenn es zu einem Halbleiter hinzugef\u00fcgt wird, einen Halbleiter vom n-Typ bilden kann.\u00a0Strahlendosimetrie In der Halbleiterphysik ist ein\u00a0Donor\u00a0ein\u00a0Dotierstoffatom\u00a0(Verunreinigung), das, wenn es zu einem Halbleiter hinzugef\u00fcgt wird, einen Halbleiter vom\u00a0n-Typ\u00a0bilden kann\u00a0.\u00a0Der Vorgang des Hinzuf\u00fcgens kontrollierter Verunreinigungen zu einem Halbleiter ist als\u00a0Halbleiterdotierung bekannt\u00a0.\u00a0Dieser Prozess wandelt einen\u00a0intrinsischen Halbleiter\u00a0in &#8230; <a title=\"Was ist Donor in Halbleitern &#8211; Donor Level &#8211; Definition\" class=\"read-more\" href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-donor-in-halbleitern-donor-level-definition\/\" aria-label=\"Mehr dazu unter Was ist Donor in Halbleitern &#8211; Donor Level &#8211; Definition\">Weiterlesen<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[48],"tags":[],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v15.4 - https:\/\/yoast.com\/wordpress\/plugins\/seo\/ -->\n<title>Was ist Donor in Halbleitern - Donor Level - Definition<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"In der Halbleiterphysik ist ein Donor ein Dotierstoffatom (Verunreinigung), das, wenn es zu einem Halbleiter hinzugef\u00fcgt wird, einen Halbleiter vom n-Typ bilden kann. 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