{"id":12933,"date":"2019-12-18T12:07:40","date_gmt":"2019-12-18T12:07:40","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/was-ist-die-p-n-verzweigung-sperrverzerrung-definition\/"},"modified":"2020-07-08T10:35:07","modified_gmt":"2020-07-08T10:35:07","slug":"was-ist-die-p-n-verzweigung-sperrverzerrung-definition","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-die-p-n-verzweigung-sperrverzerrung-definition\/","title":{"rendered":"Was ist die P-N-Verzweigung – Sperrverzerrung – Definition"},"content":{"rendered":"
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Eine Verbesserung kann durch Verwendung einer Sperrspannung an dem PN-\u00dcbergang erreicht werden, um den Detektor von freien Ladungstr\u00e4gern zu entleeren, was das Prinzip der meisten Halbleiterdetektoren ist.\u00a0Strahlendosimetrie<\/div>\n<\/div>\n
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\"Siliziumstreifendetektor<\/a>
Silicin Strip Detector Quelle: micronsemiconductor.co.uk<\/figcaption><\/figure>\n

Halbleiter<\/strong>\u00a0sind\u00a0im Allgemeinen\u00a0anorganische oder organische Materialien, deren Leitf\u00e4higkeit von der chemischen Struktur, der Temperatur, der Beleuchtung und dem Vorhandensein von Dotierstoffen abh\u00e4ngt.\u00a0Der Name\u00a0Halbleiter<\/strong>\u00a0kommt von der Tatsache, dass diese Materialien eine\u00a0elektrische Leitf\u00e4higkeit<\/strong>\u00a0zwischen einem Metall wie Kupfer, Gold usw. und einem Isolator wie Glas aufweisen.\u00a0Sie haben eine\u00a0Energiel\u00fccke von<\/strong>\u00a0weniger als 4 eV (etwa 1 eV).\u00a0In der Festk\u00f6rperphysik ist diese Energiel\u00fccke oder Bandl\u00fccke ein Energiebereich zwischen\u00a0Valenzband und Leitungsband<\/a>wo Elektronenzust\u00e4nde verboten sind.\u00a0Im Gegensatz zu Leitern m\u00fcssen Elektronen in einem Halbleiter Energie (z. B. aus ionisierender Strahlung) gewinnen, um die Bandl\u00fccke zu \u00fcberqueren und das Leitungsband zu erreichen.\u00a0Die Eigenschaften von Halbleitern<\/strong><\/a>\u00a0werden durch die Energiel\u00fccke zwischen Valenz- und Leitungsband bestimmt.<\/p>\n

Die PN-Kreuzung – Umgekehrte vorgespannte Kreuzung<\/h2>\n

Der\u00a0Halbleiterdetektor<\/strong>\u00a0arbeitet viel besser als Strahlungsdetektor, wenn eine externe Spannung in der\u00a0Richtung mit umgekehrter Vorspannung an<\/strong>\u00a0den \u00dcbergang angelegt wird\u00a0.\u00a0Der Verarmungsbereich fungiert als Strahlungsdetektor.\u00a0Eine Verbesserung kann durch Verwendung einer Sperrspannung an dem PN-\u00dcbergang erreicht werden, um\u00a0den Detektor<\/strong>\u00a0von freien Ladungstr\u00e4gern\u00a0zu\u00a0entleeren<\/strong>\u00a0, was das Prinzip der meisten Halbleiterdetektoren ist.\u00a0Das Vorspannen eines \u00dcbergangs in Sperrrichtung erh\u00f6ht die Dicke des Verarmungsbereichs, da die Potentialdifferenz \u00fcber den \u00dcbergang erh\u00f6ht wird.\u00a0Germaniumdetektoren haben eine\u00a0Stiftstruktur<\/strong>in dem der intrinsische (i) Bereich gegen\u00fcber ionisierender Strahlung, insbesondere R\u00f6ntgen- und Gammastrahlen, empfindlich ist.\u00a0Unter umgekehrter Vorspannung erstreckt sich ein elektrisches Feld \u00fcber den intrinsischen oder abgereicherten Bereich.\u00a0In diesem Fall wird eine negative Spannung an die p-Seite und eine positive an die zweite angelegt.\u00a0L\u00f6cher in der p-Region werden vom \u00dcbergang in Richtung des p-Kontakts und in \u00e4hnlicher Weise f\u00fcr Elektronen und den n-Kontakt angezogen.\u00a0Diese Ladung, die proportional zu der vom einfallenden Photon im Detektor abgelagerten Energie ist, wird von einem integrierten ladungsempfindlichen Vorverst\u00e4rker in einen Spannungsimpuls umgewandelt.<\/p>\n

Siehe auch: Germaniumdetektoren, MIRION Technologies.\u00a0<erh\u00e4ltlich unter: https:\/\/www.mirion.com\/products\/germanium-detectors>.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

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Dieser Artikel basiert auf der maschinellen \u00dcbersetzung des englischen Originalartikels. Weitere Informationen finden Sie im Artikel auf Englisch. Sie k\u00f6nnen uns helfen. Wenn Sie die \u00dcbersetzung korrigieren m\u00f6chten, senden Sie diese bitte an: translations@nuclear-power.com oder f\u00fcllen Sie das Online-\u00dcbersetzungsformular aus. Wir bedanken uns f\u00fcr Ihre Hilfe und werden die \u00dcbersetzung so schnell wie m\u00f6glich aktualisieren. Danke.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Eine Verbesserung kann durch Verwendung einer Sperrspannung an dem PN-\u00dcbergang erreicht werden, um den Detektor von freien Ladungstr\u00e4gern zu entleeren, was das Prinzip der meisten Halbleiterdetektoren ist.\u00a0Strahlendosimetrie Silicin Strip Detector Quelle: micronsemiconductor.co.uk Halbleiter\u00a0sind\u00a0im Allgemeinen\u00a0anorganische oder organische Materialien, deren Leitf\u00e4higkeit von der chemischen Struktur, der Temperatur, der Beleuchtung und dem Vorhandensein von Dotierstoffen abh\u00e4ngt.\u00a0Der Name\u00a0Halbleiter\u00a0kommt von … Weiterlesen<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[48],"tags":[],"yoast_head":"\nWas ist die P-N-Verzweigung - Sperrverzerrung - Definition<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Eine Verbesserung kann durch Verwendung einer Sperrspannung an dem PN-\u00dcbergang erreicht werden, um den Detektor von freien Ladungstr\u00e4gern zu entleeren, was das Prinzip der meisten Halbleiterdetektoren ist. 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