{"id":12931,"date":"2019-12-18T11:28:13","date_gmt":"2019-12-18T11:28:13","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/was-ist-p-typ-halbleiter-definition\/"},"modified":"2020-07-08T10:34:23","modified_gmt":"2020-07-08T10:34:23","slug":"was-ist-p-typ-halbleiter-definition","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-p-typ-halbleiter-definition\/","title":{"rendered":"Was ist p-Typ Halbleiter – Definition"},"content":{"rendered":"
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Ein extrinsischer Halbleiter, der mit Elektronenakzeptoratomen dotiert wurde, wird als p-Halbleiter bezeichnet.\u00a0Mit Elementen der Gruppe III dotierter Kristall ist der Halbleiter vom p-Typ.\u00a0Strahlendosimetrie<\/div>\n<\/div>\n
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p-Halbleiter<\/h2>\n

\"extrinsisch<\/a>Ein\u00a0extrinsischen Halbleiter<\/strong>\u00a0welche wurde\u00a0mit Elektronenakzeptor dotiert<\/strong>\u00a0Atomen ist ein sogenannter\u00a0p-Typ –\u00a0Halbleiter<\/strong>\u00a0, weil die Mehrheit der Ladungstr\u00e4ger in dem Kristall sind\u00a0Elektronenl\u00f6cher<\/a>\u00a0(positive Ladungstr\u00e4ger).\u00a0Das reine Halbleitersilizium\u00a0ist ein vierwertiges Element<\/strong>\u00a0, die normale Kristallstruktur enth\u00e4lt 4 kovalente Bindungen von vier Valenzelektronen.\u00a0In Silizium sind die h\u00e4ufigsten\u00a0Dotierstoffe\u00a0<\/strong>Elemente der\u00a0<\/strong>Gruppe III<\/strong>\u00a0und der\u00a0Gruppe V<\/strong>.\u00a0Elemente der Gruppe III (dreiwertig) enthalten alle drei Valenzelektronen, wodurch sie als Akzeptoren fungieren, wenn sie zur Dotierung von Silizium verwendet werden.\u00a0Wenn ein Akzeptoratom ein vierwertiges Siliziumatom im Kristall ersetzt, entsteht ein leerer Zustand (ein Elektronenloch).\u00a0Ein Elektronenloch (oft einfach als Loch bezeichnet) ist das Fehlen eines Elektrons an einer Stelle, an der man in einem Atom oder Atomgitter existieren k\u00f6nnte.\u00a0Es ist eine der beiden Arten von Ladungstr\u00e4gern, die f\u00fcr die Erzeugung von elektrischem Strom in Halbleitermaterialien verantwortlich sind.\u00a0Diese positiv geladenen\u00a0L\u00f6cher k\u00f6nnen sich<\/strong>\u00a0in Halbleitermaterialien von Atom zu Atom\u00a0bewegen,<\/strong>\u00a0wenn Elektronen ihre Position verlassen.\u00a0Der Zusatz von dreiwertigen Verunreinigungen wie\u00a0Bor<\/strong>\u00a0,\u00a0Aluminium<\/strong>\u00a0oder\u00a0Gallium<\/strong>an einem intrinsischen Halbleiter entstehen diese positiven Elektronenl\u00f6cher in der Struktur.\u00a0Beispielsweise erzeugt ein mit Bor dotierter Siliziumkristall (Gruppe III) einen Halbleiter vom p-Typ, w\u00e4hrend ein mit Phosphor dotierter Kristall (Gruppe V) einen Halbleiter vom n-Typ ergibt.<\/p>\n

Die Anzahl der Elektronenl\u00f6cher wird vollst\u00e4ndig von der Anzahl der Akzeptorstellen bestimmt.\u00a0Deshalb:<\/p>\n

Die Gesamtzahl von L\u00f6chern ist ungef\u00e4hr gleich der Anzahl der Spenderstellen, p \u2248 N\u00a0<\/strong>A<\/sub><\/strong>\u00a0.<\/strong><\/p>\n

Die Ladungsneutralit\u00e4t dieses Halbleitermaterials bleibt ebenfalls erhalten.\u00a0Das Nettoergebnis ist, dass die Anzahl der Elektronenl\u00f6cher erh\u00f6ht wird, w\u00e4hrend die Anzahl der Leitungselektronen verringert wird.\u00a0Das Ungleichgewicht der Ladungstr\u00e4gerkonzentration in den jeweiligen B\u00e4ndern wird durch die unterschiedliche absolute Anzahl von Elektronen und L\u00f6chern ausgedr\u00fcckt.\u00a0Elektronenl\u00f6cher<\/strong>\u00a0sind\u00a0Majorit\u00e4tstr\u00e4ger<\/strong>\u00a0, w\u00e4hrend Elektronen Minorit\u00e4tstr\u00e4ger in p-Typ-Material sind.<\/p>\n

Akzeptorstufe<\/h3>\n

Unter dem\u00a0\u00a0Gesichtspunkt\u00a0der\u00a0Energiel\u00fccke<\/a>\u00a0\u201eerzeugen\u201c solche Verunreinigungen Energieniveaus innerhalb der Bandl\u00fccke\u00a0nahe dem Valenzband<\/strong>so dass Elektronen leicht vom Valenzband in diese Ebenen angeregt werden k\u00f6nnen und bewegliche L\u00f6cher im Valenzband verbleiben.\u00a0Sie erzeugen „flache“ Niveaus, Niveaus, die sehr nahe am Valenzband liegen, sodass die Energie, die zur Ionisierung des Atoms erforderlich ist (akzeptieren Sie das Elektron, das das Loch f\u00fcllt und ein weiteres Loch weiter vom substituierten Atom entfernt erzeugt), gering ist.\u00a0Dies verschiebt das effektive Fermi-Niveau auf einen Punkt ungef\u00e4hr auf halbem Wege zwischen den Akzeptor-Niveaus und dem Valenzband.\u00a0Ferminiveau ist der Begriff, der verwendet wird, um die Spitze der Sammlung von Elektronenenergieniveaus bei absoluter Nulltemperatur zu beschreiben.\u00a0Das Fermi-Niveau ist die Oberfl\u00e4che des Fermi-Meeres bei absolutem Nullpunkt, an der keine Elektronen genug Energie haben, um sich \u00fcber die Oberfl\u00e4che zu erheben.\u00a0Bei reinen Halbleitern liegt die Position des Fermi-Pegels innerhalb der Bandl\u00fccke, ungef\u00e4hr in der Mitte der Bandl\u00fccke.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n

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Dieser Artikel basiert auf der maschinellen \u00dcbersetzung des englischen Originalartikels. Weitere Informationen finden Sie im Artikel auf Englisch. Sie k\u00f6nnen uns helfen. Wenn Sie die \u00dcbersetzung korrigieren m\u00f6chten, senden Sie diese bitte an: translations@nuclear-power.com oder f\u00fcllen Sie das Online-\u00dcbersetzungsformular aus. Wir bedanken uns f\u00fcr Ihre Hilfe und werden die \u00dcbersetzung so schnell wie m\u00f6glich aktualisieren. Danke.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Ein extrinsischer Halbleiter, der mit Elektronenakzeptoratomen dotiert wurde, wird als p-Halbleiter bezeichnet.\u00a0Mit Elementen der Gruppe III dotierter Kristall ist der Halbleiter vom p-Typ.\u00a0Strahlendosimetrie p-Halbleiter Ein\u00a0extrinsischen Halbleiter\u00a0welche wurde\u00a0mit Elektronenakzeptor dotiert\u00a0Atomen ist ein sogenannter\u00a0p-Typ –\u00a0Halbleiter\u00a0, weil die Mehrheit der Ladungstr\u00e4ger in dem Kristall sind\u00a0Elektronenl\u00f6cher\u00a0(positive Ladungstr\u00e4ger).\u00a0Das reine Halbleitersilizium\u00a0ist ein vierwertiges Element\u00a0, die normale Kristallstruktur enth\u00e4lt 4 kovalente Bindungen … Weiterlesen<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[48],"tags":[],"yoast_head":"\nWas ist p-Typ Halbleiter - Definition<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Ein extrinsischer Halbleiter, der mit Elektronenakzeptoratomen dotiert wurde, wird als p-Halbleiter bezeichnet. Mit Elementen der Gruppe III dotierter Kristall ist der Halbleiter vom p-Typ. Strahlendosimetrie\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-p-typ-halbleiter-definition\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"de_DE\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Was ist p-Typ Halbleiter - Definition\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Ein extrinsischer Halbleiter, der mit Elektronenakzeptoratomen dotiert wurde, wird als p-Halbleiter bezeichnet. Mit Elementen der Gruppe III dotierter Kristall ist der Halbleiter vom p-Typ. Strahlendosimetrie\" \/>\n<meta property=\"og:url\" content=\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-p-typ-halbleiter-definition\/\" \/>\n<meta property=\"og:site_name\" content=\"Radiation Dosimetry\" \/>\n<meta property=\"article:published_time\" content=\"2019-12-18T11:28:13+00:00\" \/>\n<meta property=\"article:modified_time\" content=\"2020-07-08T10:34:23+00:00\" \/>\n<meta property=\"og:image\" content=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\" \/>\n<meta name=\"twitter:card\" content=\"summary_large_image\" \/>\n<meta name=\"twitter:label1\" content=\"Verfasst von\">\n\t<meta name=\"twitter:data1\" content=\"Nick Connor\">\n\t<meta name=\"twitter:label2\" content=\"Gesch\u00e4tzte Lesezeit\">\n\t<meta name=\"twitter:data2\" content=\"2\u00a0Minuten\">\n<script type=\"application\/ld+json\" class=\"yoast-schema-graph\">{\"@context\":\"https:\/\/schema.org\",\"@graph\":[{\"@type\":\"WebSite\",\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#website\",\"url\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/\",\"name\":\"Radiation Dosimetry\",\"description\":\"\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"SearchAction\",\"target\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/?s={search_term_string}\",\"query-input\":\"required name=search_term_string\"}],\"inLanguage\":\"de\"},{\"@type\":\"ImageObject\",\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-p-typ-halbleiter-definition\/#primaryimage\",\"inLanguage\":\"de\",\"url\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\"},{\"@type\":\"WebPage\",\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-p-typ-halbleiter-definition\/#webpage\",\"url\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-p-typ-halbleiter-definition\/\",\"name\":\"Was ist p-Typ Halbleiter - Definition\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#website\"},\"primaryImageOfPage\":{\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-p-typ-halbleiter-definition\/#primaryimage\"},\"datePublished\":\"2019-12-18T11:28:13+00:00\",\"dateModified\":\"2020-07-08T10:34:23+00:00\",\"author\":{\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#\/schema\/person\/e8c544db9afedaec8574d6464f9398bb\"},\"description\":\"Ein extrinsischer Halbleiter, der mit Elektronenakzeptoratomen dotiert wurde, wird als p-Halbleiter bezeichnet. Mit Elementen der Gruppe III dotierter Kristall ist der Halbleiter vom p-Typ. Strahlendosimetrie\",\"inLanguage\":\"de\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"ReadAction\",\"target\":[\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-p-typ-halbleiter-definition\/\"]}]},{\"@type\":\"Person\",\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#\/schema\/person\/e8c544db9afedaec8574d6464f9398bb\",\"name\":\"Nick Connor\"}]}<\/script>\n<!-- \/ Yoast SEO plugin. -->","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/12931"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=12931"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/12931\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=12931"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=12931"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=12931"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}