{"id":12928,"date":"2019-12-18T10:32:45","date_gmt":"2019-12-18T10:32:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition\/"},"modified":"2020-07-08T10:33:17","modified_gmt":"2020-07-08T10:33:17","slug":"was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition\/","title":{"rendered":"Was ist extrinsische Halbleiter &#8211; dotierte Halbleiter &#8211; Definition?"},"content":{"rendered":"<div class=\"su-quote su-quote-style-default\">\n<div class=\"su-quote-inner su-u-clearfix su-u-trim\">Ein externer Halbleiter oder dotierter Halbleiter ist ein Halbleiter, der absichtlich dotiert wurde, um seine elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften zu modulieren.\u00a0Strahlendosimetrie<\/div>\n<\/div>\n<div class=\"su-divider su-divider-style-dotted\"><\/div>\n<div class=\"lgc-column lgc-grid-parent lgc-grid-100 lgc-tablet-grid-100 lgc-mobile-grid-100 lgc-equal-heights lgc-first lgc-last\">\n<div class=\"inside-grid-column\">\n<p><strong>Halbleiter<\/strong>\u00a0sind\u00a0im Allgemeinen\u00a0anorganische oder organische Materialien, deren Leitf\u00e4higkeit von der chemischen Struktur, der Temperatur, der Beleuchtung und dem Vorhandensein von Dotierstoffen abh\u00e4ngt.\u00a0Der Name\u00a0<strong>Halbleiter<\/strong>\u00a0kommt von der Tatsache, dass diese Materialien eine\u00a0<strong>elektrische Leitf\u00e4higkeit<\/strong>\u00a0zwischen einem Metall wie Kupfer, Gold usw. und einem Isolator wie Glas aufweisen.\u00a0Sie haben eine\u00a0<strong>Energiel\u00fccke von<\/strong>\u00a0weniger als 4 eV (etwa 1 eV).\u00a0In der Festk\u00f6rperphysik ist diese Energiel\u00fccke oder Bandl\u00fccke ein Energiebereich zwischen\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/conduction-and-valence-band-in-semiconductors\/\">Valenzband und Leitungsband<\/a>wo Elektronenzust\u00e4nde verboten sind.\u00a0Im Gegensatz zu Leitern m\u00fcssen Elektronen in einem Halbleiter Energie (z. B. aus ionisierender Strahlung) gewinnen, um die Bandl\u00fccke zu \u00fcberqueren und das Leitungsband zu erreichen.\u00a0<a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/\"><strong>Die Eigenschaften von Halbleitern<\/strong><\/a>\u00a0werden durch die Energiel\u00fccke zwischen Valenz- und Leitungsband bestimmt.<\/p>\n<h2>Extrinsische Halbleiter &#8211; Dotierte Halbleiter<\/h2>\n<p>Ein\u00a0<strong>externer Halbleiter<\/strong>\u00a0oder\u00a0<strong>dotierter Halbleiter<\/strong>\u00a0ist ein Halbleiter, der\u00a0<strong>absichtlich dotiert wurde,<\/strong>\u00a0um seine elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften zu modulieren.\u00a0Bei Halbleiterdetektoren f\u00fcr ionisierende Strahlung ist Dotieren das absichtliche Einbringen von Verunreinigungen in einen intrinsischen Halbleiter zum Zweck der \u00c4nderung ihrer elektrischen Eigenschaften.\u00a0Intrinsische Halbleiter werden daher auch als reine Halbleiter oder i-Halbleiter bezeichnet.<\/p>\n<p>Die Zugabe eines kleinen Prozentsatzes von Fremdatomen in das regelm\u00e4\u00dfige Kristallgitter von Silizium oder Germanium f\u00fchrt zu dramatischen \u00c4nderungen ihrer elektrischen Eigenschaften, da diese in die Kristallstruktur des Halbleiters eingebauten Fremdatome\u00a0<strong>freie Ladungstr\u00e4ger<\/strong>\u00a0(Elektronen oder Elektronenl\u00f6cher) in der\u00a0Zelle liefern\u00a0Halbleiter.\u00a0In einem externen Halbleiter liefern diese Fremddotierungsatome im Kristallgitter haupts\u00e4chlich die Ladungstr\u00e4ger, die elektrischen Strom durch den Kristall transportieren.\u00a0Im Allgemeinen gibt es zwei Arten von Dotierungsatomen, die zu zwei Arten von externen Halbleitern f\u00fchren.\u00a0Diese Dotierstoffe, die die gew\u00fcnschten kontrollierten \u00c4nderungen erzeugen, werden entweder als\u00a0<strong>Elektronenakzeptoren<\/strong>\u00a0oder als\u00a0<strong>Donoren<\/strong>\u00a0klassifiziert\u00a0und die entsprechenden dotierten Halbleiter sind bekannt als:<\/p>\n<ul>\n<li><strong>Halbleiter vom n-Typ.<\/strong><\/li>\n<li><strong>p-Halbleiter.<\/strong><\/li>\n<\/ul>\n<p><strong>Extrinsische Halbleiter<\/strong> sind Bestandteile vieler g\u00e4ngiger elektrischer Ger\u00e4te sowie vieler Detektoren f\u00fcr ionisierende Strahlung. Zu diesem Zweck besteht eine Halbleiterdiode (Bauelemente, die Strom nur in einer Richtung zulassen) normalerweise aus Halbleitern vom p-Typ und vom n-Typ, die in Verbindung miteinander angeordnet sind.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<h3><span>Halbleiter vom n-Typ<\/span><\/h3>\n<p><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26109 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\" alt=\"extrinsisch dotierter Halbleiter-n-Typ-Donor\" width=\"501\" height=\"354\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\" \/><\/a><span>Ein extrinsischer Halbleiter, der mit Elektronendonoratomen dotiert wurde, wird als\u00a0<\/span><strong><span>n-Halbleiter bezeichnet<\/span><\/strong><span>, weil die Mehrheit der Ladungstr\u00e4ger im Kristall negative Elektronen sind.\u00a0Da Silizium ein vierwertiges Element ist, enth\u00e4lt die normale Kristallstruktur 4 kovalente Bindungen von vier Valenzelektronen.\u00a0In Silizium sind die h\u00e4ufigsten Dotierstoffe Elemente der Gruppe III und der Gruppe V.\u00a0Elemente der Gruppe V (f\u00fcnfwertig) haben f\u00fcnf Valenzelektronen, wodurch sie als Donor fungieren k\u00f6nnen.\u00a0Das hei\u00dft, die Zugabe dieser f\u00fcnfwertigen Verunreinigungen wie Arsen, Antimon oder Phosphor tr\u00e4gt zu freien Elektronen bei, wodurch die Leitf\u00e4higkeit des intrinsischen Halbleiters stark erh\u00f6ht wird.\u00a0Beispielsweise erzeugt ein mit Bor dotierter Siliziumkristall (Gruppe III) einen Halbleiter vom p-Typ, w\u00e4hrend ein mit Phosphor dotierter Kristall (Gruppe V) einen Halbleiter vom n-Typ ergibt.<\/span><\/p>\n<p><span>Die Leitungselektronen werden vollst\u00e4ndig von der Anzahl der\u00a0<\/span><strong><span>Donorelektronen<\/span><\/strong><span>\u00a0dominiert\u00a0.\u00a0Deshalb:<\/span><\/p>\n<p><strong><span>Die Gesamtzahl der Leitungselektronen ist in\u00a0etwa gleich der Zahl der Spenderstellen, n\u2248N\u00a0<\/span><\/strong><strong><sub><span>D<\/span><\/sub><\/strong><strong><span>\u00a0.<\/span><\/strong><\/p>\n<p><span>Die Ladungsneutralit\u00e4t des Halbleitermaterials bleibt erhalten, da angeregte Donorstellen die Leitungselektronen ausgleichen.\u00a0Das Nettoergebnis ist, dass die Anzahl der Leitungselektronen erh\u00f6ht wird, w\u00e4hrend die Anzahl der L\u00f6cher verringert wird.\u00a0Das Ungleichgewicht der Tr\u00e4gerkonzentration in den jeweiligen B\u00e4ndern wird durch die unterschiedliche absolute Anzahl von Elektronen und L\u00f6chern ausgedr\u00fcckt.\u00a0Elektronen sind Majorit\u00e4tstr\u00e4ger, w\u00e4hrend L\u00f6cher Minorit\u00e4tstr\u00e4ger in n-Typ-Material sind.<\/span><\/p>\n<h3><span>p-Halbleiter<\/span><\/h3>\n<p><a href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\"><img loading=\"lazy\" class=\"alignright wp-image-26108 lazy-loaded\" src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\" alt=\"extrinsisch dotierter Halbleiter - p-Typ - Akzeptor\" width=\"499\" height=\"343\" data-lazy-type=\"image\" data-src=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-p-type-acceptor.png\" \/><\/a><span>Ein\u00a0<\/span><strong><span>extrinsischer Halbleiter,<\/span><\/strong><span>\u00a0der\u00a0<\/span><strong><span>mit Elektronenakzeptoratomen dotiert wurde<\/span><\/strong><span>\u00a0, wird als\u00a0<\/span><strong><span>p-Halbleiter bezeichnet<\/span><\/strong><span>\u00a0, da die Mehrheit der Ladungstr\u00e4ger im Kristall\u00a0<\/span><a href=\"https:\/\/www.nuclear-power.com\/nuclear-engineering\/radiation-detection\/semiconductor-detectors\/what-are-semiconductors-properties-of-semiconductors\/what-is-electron-hole\/\"><span>Elektronenl\u00f6cher<\/span><\/a><span>\u00a0(positive Ladungstr\u00e4ger) sind.\u00a0Das reine Halbleitersilizium\u00a0<\/span><strong><span>ist ein vierwertiges Element<\/span><\/strong><span>\u00a0, die normale Kristallstruktur enth\u00e4lt 4 kovalente Bindungen von vier Valenzelektronen.\u00a0In Silizium sind die h\u00e4ufigsten\u00a0<\/span><strong><span>Dotierstoffe\u00a0<\/span><\/strong><span><strong>Elemente der\u00a0<\/strong><strong>Gruppe III<\/strong>\u00a0und der\u00a0<\/span><strong><span>Gruppe V.<\/span><\/strong><span>.\u00a0Elemente der Gruppe III (dreiwertig) enthalten alle drei Valenzelektronen, wodurch sie als Akzeptoren fungieren, wenn sie zum Dotieren von Silizium verwendet werden.\u00a0Wenn ein Akzeptoratom ein vierwertiges Siliziumatom im Kristall ersetzt, entsteht ein leerer Zustand (ein Elektronenloch).\u00a0Ein Elektronenloch (oft einfach als Loch bezeichnet) ist das Fehlen eines Elektrons an einer Position, an der man in einem Atom oder Atomgitter existieren k\u00f6nnte.\u00a0Es ist eine der beiden Arten von Ladungstr\u00e4gern, die f\u00fcr die Erzeugung von elektrischem Strom in halbleitenden Materialien verantwortlich sind.\u00a0Diese positiv geladenen\u00a0<\/span><strong><span>L\u00f6cher k\u00f6nnen sich<\/span><\/strong><span>\u00a0in halbleitenden Materialien von Atom zu Atom\u00a0<strong>bewegen,<\/strong>\u00a0wenn Elektronen ihre Position verlassen.\u00a0Die Zugabe von dreiwertigen Verunreinigungen wie\u00a0<\/span><strong><span>Bor<\/span><\/strong><span>\u00a0,\u00a0<\/span><strong><span>Aluminium<\/span><\/strong><span>\u00a0oder\u00a0<\/span><strong><span>Gallium<\/span><\/strong><span>zu einem intrinsischen Halbleiter erzeugt diese positiven Elektronenl\u00f6cher in der Struktur.\u00a0Beispielsweise erzeugt ein mit Bor dotierter Siliziumkristall (Gruppe III) einen Halbleiter vom p-Typ, w\u00e4hrend ein mit Phosphor dotierter Kristall (Gruppe V) einen Halbleiter vom n-Typ ergibt.<\/span><\/p>\n<p><span>Die Anzahl der Elektronenl\u00f6cher wird vollst\u00e4ndig von der Anzahl der Akzeptorstellen dominiert.\u00a0Deshalb:<\/span><\/p>\n<p><strong><span>Die Gesamtzahl von L\u00f6chern ist ungef\u00e4hr gleich der Anzahl der Spenderstellen, p \u2248 N\u00a0<\/span><\/strong><strong><sub><span>A<\/span><\/sub><\/strong><strong><span>\u00a0.<\/span><\/strong><\/p>\n<p><span>Die Ladungsneutralit\u00e4t dieses Halbleitermaterials bleibt ebenfalls erhalten.\u00a0Das Nettoergebnis ist, dass die Anzahl der Elektronenl\u00f6cher erh\u00f6ht wird, w\u00e4hrend die Anzahl der Leitungselektronen verringert wird.\u00a0Das Ungleichgewicht der Tr\u00e4gerkonzentration in den jeweiligen B\u00e4ndern wird durch die unterschiedliche absolute Anzahl von Elektronen und L\u00f6chern ausgedr\u00fcckt.\u00a0<\/span><strong><span>Elektronenl\u00f6cher<\/span><\/strong><span>\u00a0sind\u00a0<\/span><strong><span>Majorit\u00e4tstr\u00e4ger<\/span><\/strong><span> , w\u00e4hrend Elektronen Minorit\u00e4tstr\u00e4ger in p-Material sind.<\/span><\/p>\n<h3><span>Die PN-Verbindung &#8211; Reverse Bias Junction<\/span><\/h3>\n<p><span>Der\u00a0<\/span><strong><span>Halbleiterdetektor<\/span><\/strong><span>\u00a0arbeitet viel besser als Strahlungsdetektor, wenn eine externe Spannung in\u00a0<\/span><strong><span>umgekehrter Vorspannungsrichtung<\/span><\/strong><span>\u00a0\u00fcber den \u00dcbergang angelegt wird\u00a0.\u00a0Der Verarmungsbereich fungiert als Strahlungsdetektor.\u00a0Eine Verbesserung kann durch Verwendung einer Sperrspannung am PN-\u00dcbergang erreicht werden, um\u00a0<\/span><strong><span>den Detektor<\/span><\/strong><span>\u00a0von freien Ladungstr\u00e4gern zu befreien, was das Prinzip der meisten Halbleiterdetektoren ist.\u00a0Die umgekehrte Vorspannung eines \u00dcbergangs erh\u00f6ht die Dicke des Verarmungsbereichs, da die Potentialdifferenz \u00fcber den \u00dcbergang erh\u00f6ht wird.\u00a0Germaniumdetektoren haben eine\u00a0<\/span><strong><span>Stiftstruktur<\/span><\/strong><span>in dem der intrinsische (i) Bereich gegen\u00fcber ionisierender Strahlung, insbesondere R\u00f6ntgen- und Gammastrahlen, empfindlich ist.\u00a0Unter Sperrvorspannung erstreckt sich ein elektrisches Feld \u00fcber den intrinsischen oder abgereicherten Bereich.\u00a0In diesem Fall wird eine negative Spannung an die p-Seite und eine positive an die zweite Seite angelegt.\u00a0L\u00f6cher im p-Bereich werden vom \u00dcbergang zum p-Kontakt und \u00e4hnlich zu Elektronen und dem n-Kontakt angezogen.\u00a0Diese Ladung, die proportional zu der vom einfallenden Photon im Detektor abgelagerten Energie ist, wird von einem integrierten ladungsempfindlichen Vorverst\u00e4rker in einen Spannungsimpuls umgewandelt.<\/span><\/p>\n<p><span>Siehe auch: Germaniumdetektoren, MIRION Technologies.\u00a0&lt;verf\u00fcgbar unter: https:\/\/www.mirion.com\/products\/germanium-detectors&gt;.<\/span><\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<div class=\"lgc-column lgc-grid-parent lgc-grid-100 lgc-tablet-grid-100 lgc-mobile-grid-100 lgc-equal-heights lgc-first lgc-last\">\n<div tabindex=\"0\" role=\"button\">\n<p>&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;&#8230;.<\/p>\n<p>Dieser Artikel basiert auf der maschinellen \u00dcbersetzung des englischen Originalartikels. Weitere Informationen finden Sie im Artikel auf Englisch. Sie k\u00f6nnen uns helfen. Wenn Sie die \u00dcbersetzung korrigieren m\u00f6chten, senden Sie diese bitte an: translations@nuclear-power.com oder f\u00fcllen Sie das Online-\u00dcbersetzungsformular aus. Wir bedanken uns f\u00fcr Ihre Hilfe und werden die \u00dcbersetzung so schnell wie m\u00f6glich aktualisieren. Danke.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Ein externer Halbleiter oder dotierter Halbleiter ist ein Halbleiter, der absichtlich dotiert wurde, um seine elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften zu modulieren.\u00a0Strahlendosimetrie Halbleiter\u00a0sind\u00a0im Allgemeinen\u00a0anorganische oder organische Materialien, deren Leitf\u00e4higkeit von der chemischen Struktur, der Temperatur, der Beleuchtung und dem Vorhandensein von Dotierstoffen abh\u00e4ngt.\u00a0Der Name\u00a0Halbleiter\u00a0kommt von der Tatsache, dass diese Materialien eine\u00a0elektrische Leitf\u00e4higkeit\u00a0zwischen einem Metall wie &#8230; <a title=\"Was ist extrinsische Halbleiter &#8211; dotierte Halbleiter &#8211; Definition?\" class=\"read-more\" href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition\/\" aria-label=\"Mehr dazu unter Was ist extrinsische Halbleiter &#8211; dotierte Halbleiter &#8211; Definition?\">Weiterlesen<\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[48],"tags":[],"yoast_head":"<!-- This site is optimized with the Yoast SEO plugin v15.4 - https:\/\/yoast.com\/wordpress\/plugins\/seo\/ -->\n<title>Was ist extrinsische Halbleiter - dotierte Halbleiter - Definition?<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Ein externer Halbleiter oder dotierter Halbleiter ist ein Halbleiter, der absichtlich dotiert wurde, um seine elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften zu modulieren. Strahlendosimetrie\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"de_DE\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Was ist extrinsische Halbleiter - dotierte Halbleiter - Definition?\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Ein externer Halbleiter oder dotierter Halbleiter ist ein Halbleiter, der absichtlich dotiert wurde, um seine elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften zu modulieren. Strahlendosimetrie\" \/>\n<meta property=\"og:url\" content=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition\/\" \/>\n<meta property=\"og:site_name\" content=\"Radiation Dosimetry\" \/>\n<meta property=\"article:published_time\" content=\"2019-12-18T10:32:45+00:00\" \/>\n<meta property=\"article:modified_time\" content=\"2020-07-08T10:33:17+00:00\" \/>\n<meta property=\"og:image\" content=\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\" \/>\n<meta name=\"twitter:card\" content=\"summary_large_image\" \/>\n<meta name=\"twitter:label1\" content=\"Verfasst von\">\n\t<meta name=\"twitter:data1\" content=\"Nick Connor\">\n\t<meta name=\"twitter:label2\" content=\"Gesch\u00e4tzte Lesezeit\">\n\t<meta name=\"twitter:data2\" content=\"5\u00a0Minuten\">\n<script type=\"application\/ld+json\" class=\"yoast-schema-graph\">{\"@context\":\"https:\/\/schema.org\",\"@graph\":[{\"@type\":\"WebSite\",\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#website\",\"url\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/\",\"name\":\"Radiation Dosimetry\",\"description\":\"\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"SearchAction\",\"target\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/?s={search_term_string}\",\"query-input\":\"required name=search_term_string\"}],\"inLanguage\":\"de\"},{\"@type\":\"ImageObject\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition\/#primaryimage\",\"inLanguage\":\"de\",\"url\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/wp-content\/uploads\/2019\/12\/extrinsic-doped-semiconductor-n-type-donor.png\"},{\"@type\":\"WebPage\",\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition\/#webpage\",\"url\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition\/\",\"name\":\"Was ist extrinsische Halbleiter - dotierte Halbleiter - Definition?\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#website\"},\"primaryImageOfPage\":{\"@id\":\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition\/#primaryimage\"},\"datePublished\":\"2019-12-18T10:32:45+00:00\",\"dateModified\":\"2020-07-08T10:33:17+00:00\",\"author\":{\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#\/schema\/person\/e8c544db9afedaec8574d6464f9398bb\"},\"description\":\"Ein externer Halbleiter oder dotierter Halbleiter ist ein Halbleiter, der absichtlich dotiert wurde, um seine elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften zu modulieren. Strahlendosimetrie\",\"inLanguage\":\"de\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"ReadAction\",\"target\":[\"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/was-ist-extrinsische-halbleiter-dotierte-halbleiter-definition\/\"]}]},{\"@type\":\"Person\",\"@id\":\"http:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/#\/schema\/person\/e8c544db9afedaec8574d6464f9398bb\",\"name\":\"Nick Connor\"}]}<\/script>\n<!-- \/ Yoast SEO plugin. -->","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/12928"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=12928"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/12928\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=12928"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=12928"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.radiation-dosimetry.org\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=12928"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}